VCE是指IGBT在导通状态下,集电极与发射极之间的电压。VCE的大小直接影响到IGBT的功耗和结温。当VCE增大时,IGBT的功耗也会相应增大,从而导致结温升高。反之,当VCE减小时,IGBT的功耗减小,结温降低。 结温对VCE的影响 结温是指IGBT内部PN结的温度,它对IGBT的性能和可靠性具有重要影响。当结温升高时,IGBT的导通压降会减小...
IGBT有正温度系数和负温度系数,正温度系数IGBT就是在Ic电流一定情况下,IGBT的Vce(sat)随着温度升高而降低;负温度系数IGBT就是在Ic电流一定情况下,IGBT的Vce(sat)随着温度升高而升高; 1.3续流二极管(FWD)阻断电压VRRM 指反向重复峰值电压(也称反向浪涌电压, peak repetitive reverse voltage),续流二极管在用于PWM调制...
上图所示,Ic=f(Vce), 饱和电压到达10V,IGBT处于退饱和状态(不同Vge,到达10V动作电压时的,Isc值不同)。 上图为,IGBT驱动芯片内部对IGBT饱和电压监测原理图。芯片内部有一个比较器,在比较器正负端,分别设置一个电流源用于参考电压和动作电压产生。正常情况下,动作电压产生的电流源沿红色箭头和Cbe流入。 Ucomp.po...
Vge固定,不同Tvj下Ic与Vce之间转换关系 可以看出,一定电流以内(红框),Vcesat呈负温度系数特性,超过该电流,Vcesat呈正温度系数特性,因此,负载较大时正温度系数特性有利于IGBT的并联应用 温度Tvj固定,不同Vge下Ic与Vce之间转换关系 很容易看出,随着Vge的增大,Vcesat呈减小的趋势。因此,在实际使用中,不推荐使用...
几种常见IGBT的VCE压降 总结:温度越低,同样Vce下运行通过电流越大。 1、 FP25R12KE3 Tj=125, Ic=25A时,VCE=2V。 2、 FF450R17ME4 Tj=25,Ic=450A时,VCE=2V。 3、 7MBR75VB120-50 Tj=125,Ic=125A时,VCE=2V。 4、 FGA25N120ANTD Tj=25, Ic=75A时,VCE=3V。
IGBT的Vce所受電壓應力與時間的關係 Translation_Bot Community Manager 跳至解決方案 檢視原始內容: Chinese Simplified | 原始作者: XuedongFu 這是機械翻譯的內容 問題1: IGBT所受到的電壓應力與時間是否有關?如果Vce的電壓尖峰持續時間僅僅只有1us,或者10ns是否都對IGBT有威脅? 問題2:基於以上,我測量某產品的...
关于IGBT短路时VCE和电流和时间的关系 235 Level 2 跳至解决方案 这是不是表示VCE为3是,短路电路上升时100A, FS50R12W1T7这款的最大耐受也是100A,那是不是就相当于当VCE大于3V后就是导致IGBT失效呢? 已解决! 转到解答。 Like 订阅 十一月 21, 2023 182 次查看 0 2 条回...
在IGBT驱动电路中有时会用到钳位电路,其主要目的是为了保护IGBT器件,避免运行参数超过集电极或者门极的极限参数,今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。 Vce钳位电路 Vce钳位电路目的是为了避免在大电流、短路、低温等特殊工况时,Vce之间的尖峰电压超过器件可以耐受的最大值,该电路的基本结构如下图所示。
确实信息太少了,说一下什么拓扑实现什么功能什么工矿下出现的问题?看着像pfc轻载电流过零点开关的波形 ...
FRD 的作用:FRD 是一个二极管,用于防止 IGBT 在反向偏压下击穿。当 VCE 为负值时,FRD 会导通,并...