Ic 增至额定值(与IGBT技术和柵极电压无关)4倍,IGBT退出饱和,直通保护动作。换句话说:IGBT直通判断条件:Ic电流为额定的4倍。根据器件手册,IGBT在4倍(Isc)情况下,能维持10us. 上图所示,Ic=f(Vce), 饱和电压到达10V,IGBT处于退饱和状态(不同Vge,到达10V动作电压时的,Isc值不同)。 上图为,IGBT驱动芯片内部...
在应用中值得储能逆变器研发工程师留意,这款优质FHA75T65A国产IGBT单管的详细参数:其具有75A, 650V, VCEsat典型值:1.75V-typ ,<2.0V;ID (Tc=100℃):75A;BVdss:650V;IF(A)(Tc=25℃):150A;IF(A)(Tc=100℃):75A。 FHA75T65A是一款N沟道沟槽栅截止型IGBT,通过优化工艺和使用Trench Field stop Ⅱ te...
RI20N1200TT是一款由丽正国际推出的IGBT芯片,其可以提供超低的传导损耗以及极低的开关损耗。 集电极-发射极电压1200V,集电极电流高达20A(TC=100℃)。其专为电磁炉、感应加热设备等应用而设计。 图1 电气原理图及其封装形式 RC-IGBT RI20N1200TT产品特征: 低VCE(sat)沟道IGBT技术 低开关损耗 最高结温175°C ...
可控硅的管压降(V)：组别 管压降 A ≤0.4 B 0.4＜VT≤0.5 C 0.5＜VT≤0.6 D 0.6＜VT≤0.7 E 0.7＜VT≤0.8 F 0.8＜VT≤0.9 G 0.9＜VT≤1.0 H 1.0＜VT≤1.1 I 1.1＜VT≤1.2 ...
FHF20T60A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺,来获得极低的 VCEsat 饱和压降,并在导通损耗和关断损耗(Eoff)之间做出来良好的权衡。 FHF20T60A型号单管拥有出色的导通压降与极短的拖尾电流,能为电机驱动开发的客户在优化系统效率时提供有力的帮助。
ROHM IGBT产品利用ROHM特有的沟槽栅、薄晶圆技术实现了低VCE(sat)、低开关损耗等特性。目前有第二代和第三代产品,第三代IGBT整体损耗更低,效率更高,元器件温度更低。涵盖650V/1200V、4A-50A多个规格,主流封装,有车规级(AEC-Q101)产品。大量应用于车载压缩机,电机市场,电源市场,空调冰箱等。
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FHA40T65A的封装形式是TO-3PN。这款产品参数:Vcesat-typ (@Ic=40A):1.51V;IC (Tc=100℃):40A;Bvces :650V 、Vge :±30V;。 建立产品的核心竞争优势,从寻求优质的FHA40T65AIGBT单管代换FGH40N60SFD参数型号用于伺服电机驱动器的电路开始,飞虹半导体始终如一的为电子企业提供IGBT、MOS管的供应保障。
NGTB30N60L2WG N-Channel IGBT 低VF开关二极管内置 600V, 30A, VCE(sat);1.4V www.onsemi.cn 主要特长 IGBT VCE(sat)=1.4V typ. (IC=30A, VGE=15V) IGBT IC=100A (Tc=25C) IGBT tf=80ns typ. 高频应用用开关损失低 最高结温 Tj=175C Diode VF=1.7...
IGBT VCE-1200V IC-25A VCE(SAT) IC=25A 1.85V fetures applications Positive temperature coefficient DGW25N120CTL Features- Low VCE(sat) Trench-FS IGBT technology - Maximum junction temperature 175ºC - Positive temperature coefficient - In...