《IEEE Electron Device Letters》在中科院2023年12月最新升级版中,大类学科工程技术位于2区,小类工程:电子与电气位于2区,非综述类期刊。 在JCR分区中,工程:电子与电气位于Q2。 03分区预测 《IEEE Electron Device Letters》近年来中科院分区等级十分稳定,维持2区,水平较高,期刊影响因子、发文量呈现向上的趋势,自引...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发表了与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性相关的原创和重大贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,在生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、 成像、微致动器、纳米电子学、光电子学、光...
JCR分区:JCR分区等级为2区。 根据2023年12月最新升级版的中科院SCI分区,分区大类工程技术二区,小类工程:电子与电气二区。 3.指标分析 ①IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的影响因子呈上升趋势,2023年最新影响因子为4.9。 ②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LET...
最新中科院分区: 期刊IEEE Electron Device Letters在2022年12月最新基础版与最新升级版中,分区如下。 刊文量 : 根据Web of Science收录的论文来看,2022-2023年度发文522篇,国人发文量占比排名第一 与杂志IEEE Electron Device Letters相似度较高的期刊,主要有以下类型及期刊: IEEE Electron Device Letters该刊的...
IEEE 电子器件字母(Ieee Electron Device Letters)在中科院分区中位于2区,JCR分区位于Q2。审稿速度一般为 约1.3个月 ,且近两年没有被列入国际预警名单,您可以放心投稿。如果您需要投稿指导,可在线咨询我们的客服老师,我们将竭诚为您服务。 IEEE Electron Device Letters 发表与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模...
IEEE Electron Device Letters 基本信息 期刊名称IEEE Electron Device Letters IEEE ELECTR DEVICE L 期刊ISSN0741-3106 期刊官方网站https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55 是否OANo 出版商Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc....
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 影响指数:4.575 期刊ISSN:0741-3106年文章数:419国人占比:0.35 自引率:12.00%版面费:US$2195审稿周期:Monthly是否OA:否 JCR分区:Q1中科院分区:Q1出版国家/地区:UNITED STATES是否预警:不在预警名单内 相关指数 影响因子 影响因子...
别名:IEEE电子设备快报;I.E.E.E. electron device letters 国际标准连续出版物号:ISSN0741-3106 创刊时间:1980年 曾用名:Electron device letters 收录汇总栏目浏览期刊详情 收录汇总 出版文献 期刊详情 分析评价 目录 封面 1987年10期 共:19篇 不详 A JOSEPHSON ARRAY VOLTAGE STANDARD AT 10-V ...
6、IEEE Electron Device Letters • 影响因子:4.1 • 期刊分区:JCR2区,中科院2区 • 自引率:9.8% 🌟作者经验:年发文477篇,审稿效率神刊,3个月不到录用 7、IEEE Industrial Electronics Magazine • 影响因子:5.6 • 期刊分区:JCR1区,中科院2区 ...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS影响因子近年来持续上升,2021-2022年度影响因子达到4.816。 02 分区 JCR分区:ENGINEERING,ELECTRICAL&ELECTRONIC位于Q1。 中科院分区:大类工程技术,小类学科工程:电子与电气,均位于2区。 03 年发文量 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS年发文量整体趋于稳定,发文共计429篇。