ICP刻蚀和CCP刻蚀的原理确实有所不同哦。ICP,也就是感应耦合等离子体刻蚀,它是通过高频电源产生高频电场,然后利用电感耦合把能量传给气体,让气体电离成等离子体。这些带电粒子在电场加速后,会撞到材料表面,从而实现刻蚀。而CCP,即电容耦合等离子体刻蚀,是在电极上加射频电压来产生等离子体,电子在电场作用下获能,引发...
RF-CCP(电容耦合) 和RF-ICP(感应耦合)离子源的构造原理 RF-CCP(电容耦合)离子源 如图2所示,电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)和引入的驱动电极作为耦合元件。驱动电极上镀有溅射产额较低的陶瓷材料以减少离子的对阴极材料的溅射。当与电源接通后,在放电室和驱动电极之间产生高频电场...