BUMP技术,通常指的是微凸点(Micro Bump)技术,是先进封装技术中的一种重要技术,主要用于实现芯片与封装基板或另一个芯片之间的电气连接。微凸点技术因其出色的电气性能、高密度连接能力和小型化特性,在高性能计算、移动设备、人工智能等领域得到了广泛应用。 微凸点技术概述 定义 微凸点(Micro Bump)技术是指在芯片或...
晶片载波封装的类型通常用首字母缩写表示,它们包括: BCC:Bump芯片载体 CLCC:陶瓷无铅芯片载体 LCC:导联芯片载体 LCCC:含铅陶瓷芯片载体 DLCC:双无铅芯片载体 PLCC:塑料导向的芯片载体 POP:叠层封装技术 #5通孔封装 通孔封装组件的引脚穿过电路板的一侧,并焊接到电路板另一侧的焊盘上,以机械和电气方式将它们连接到P...
芯片上的RDL和TSV制作 在芯片表面布线,通过RDL (Redistribution Layer) 重新布线层将PAD连接到占位更宽松的位置并制作凸点Bump,我们称之为XY平面的延伸。 然后通过Bump,芯片就可以直接安装在基板上了,这种工艺被称为倒装焊 Flip Chip,看看下面的图,你就会明白为啥叫倒装了。 倒装焊芯片由于无法堆叠,因此无法进行Z轴...
晶片载波封装的类型通常用首字母缩写表示,它们包括: BCC:Bump芯片载体 CLCC:陶瓷无铅芯片载体 LCC:导联芯片载体 LCCC:含铅陶瓷芯片载体 DLCC:双无铅芯片载体 PLCC:塑料导向的芯片载体 POP:叠层封装技术 2、 通孔封装 通孔封装组件的引脚穿过电路板的一侧,并焊接到电路板另一侧的焊盘上,以机械和电气方式将它们连接...
先进封装中晶体管密度的提升,主要由纯铜对接(Cu-Cu hybrid bonding)、微微焊点(Microbump)技术来推动。前者设计用于接点间距10μm以下的高阶产品,可达到更高的晶体管密度,除Cu-Cu对接外还有Au-Au对接。该方法是通过平坦的纯金属相互扩散接合,制造门槛与难度较高,需要更佳的表面平整度及洁净度; 后者则是市面上...
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是目前应用最广泛的半导体封装材料之一。此外，有的文章也将底部填充材料（Underfill）作为包封材料的一种。底部填充料最先是针对FC封装，bump连接后，通过底部填充料可以缓解芯片、Bump和基板之间的热膨胀系数不匹配产生的内应力，分散芯片正面承载的应力，同时保护焊球、提高芯片的抗跌落性、热循环可靠性。从...
在传统的 3D-IC 设计当中,系统级规划通常是通过人工规划来实现的。这使得系统级的更新需要比较长的迭代周期。Integrity 3D-IC 系统级规划工具可自动高效地实现芯片的堆叠、feedthrough 的插入、Bump 的规划和优化等功能。工具可以实时显示每个操作的结果,让用户对于设计的结果一目了然。
Bump,Bumping,Bumped:倒装,倒装的 burn-in:老化筛选 Baud rate :波特率 C 测试:IC封装后需要对IC的功能、电参数进行测量以筛选出不合格的产品,并通过测试结果来发现芯片设计、制造及封装过程中的质量缺陷。 Chip:芯片 CPU:中央处理器 CAD:Computer-Aided Design 计算机辅助设计,专门帮助提供软件自动化 ...
Bump:bumping指凸点。在wafer表面长出凸点(金,锡铅,无铅等等)后,(多用于倒装工艺封装上,也就是flipchip)。 Wirebonding:打线也叫Wire Bonding(压焊,也称为绑定,键合,丝焊)是指使用金属丝(金线、铝线等),利用热压或超声能源,完成固态电路内部接线的连接,即芯片与电路或引线框架之间的连接。