图1中蓝色虚线和黑色实线表示交流信号在一个周期里摆动的负载线。在理想情况下,黑色的实线是最大化使用到了I-V曲线的场地,这样信号同时利用了器件的最大电流和电压摆幅。 在这个例子里,静态偏置电压原则上应该设置在61V。但是基于可靠性及设计余量的考量,我建议使用一个偏低的电压(正常要低于击穿电压的一半)以及不...
图1 光伏组件特性曲线 如果光伏组件有故障,那么整个光伏阵列的特性曲线就会出现异常,以下我们以实际的例子对上面的内容进行详细的讲解。 在对光伏阵列进行测试前,我们需要先把组件的灰尘清理干净,然后再对光伏阵列进行I-V曲线扫描,由于在户外测试时,测试结果容易受环境变化影响,为确保结果真实可靠,我们对同一个光伏阵列...
下图是光伏组件的特性曲线,正常的时候这个曲线是很平滑的,而且可以明显看到有三个部分,第一部分是“水平线”(近乎水平,只有一点点下降),第二部分是“膝盖”(近乎圆弧),第三部分是“墙”(近乎垂直)。 图1 光伏组件特性曲线 如果光伏组件有故障,那么整个光伏阵列的特性曲线就会出现异常,以下我们以实际的例子对上面...
当光照射到太阳能电池板上时，电池会产生电流和电压，通常我们用I表示电流，用V表示电压，而测量太阳能电池板被照射时的电流电压特性曲线的图，就被人们成为IV曲线图。通过电流，电压数据的测量，我们又能够观测出这块太阳能电池板的功率。IV曲线图的全称是光伏曲线的I-V输入输出特性曲线。之前我们提到过，光伏电池的...
图:I-V测试曲线图 多通道轮询I-V测试方案 方案采用多通道LED光源、通道切换器以及S系列台式源表组成。S源表通过通道切换器轮询测试多颗钙钛矿电池。多通道LED光源提供模拟光源,配套多通道太阳能电池I-V测试软件提升测试效率。 图:MPPT轮询老化测试系统架构图 ...
GaN 俘获效应的一个众所周知的影响称为拐点蠕变,它将使 I-V 曲线的拐点电压右移,如下图所示。Generic Knee Walkout in a I-V Curve 好消息是非线性 GaN 模型可帮助预测这种俘获效应的行为。下图显示了 Modelithics Qorvo GaN 模型中捕获的一个 Qorvo 裸片模型的 I-V 曲线。它显示了在短脉冲条件下(例如 0....
原理图 MOS管i-v特性-特性曲线和电流方程 与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 转移特性曲线如图1(b)所示, 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随VDs而变化,即不同的VDs 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用VDs 大于...
图:使用2450源表测试得出的I-V曲线 在碳化硅(SiC)和 氮化镓(GaN)半导体设备开发的各阶段, I-V 检定起着重要的作用。首先,测试材料以确定适用性。再者,金氧半场效晶体管(MOSFET)等设备一经制造,必须在进行击穿电压、泄漏电流和断开状态电阻测试后才可将其安装到电路板上。
认识组件I/V曲线 光伏组件的特性曲线,正常的时候如下图红色的线,曲线包括三个部分的平滑部分,第一部分是“水平线”(近乎水平,只有一点点下降),第二部分是“膝盖”(近乎圆弧),第三部分是“墙”(近乎垂直)。 如果组件出现故障,I/V曲线就会发生变形,下线是几种常见的典型异常的I/V曲线。
图:Solmetric户外I-V曲线测试仪(1500V,30A,容性负载) SOL 图:Daystar户外I-V曲线测试仪(1000V,100A,容性负载) 总之,较之低容性组件(普通单多晶),在测试较高容性组件(PERC),及更高容性组件(Topcon,HJT)时更应关注光伏电池组件的电容性影响,需要依据标准GB-T 18210-2000《晶体硅光伏(PV)方阵I-V特性的现...