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1000A半导体IV曲线图示仪集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容...
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