原理图 MOS管i-v特性-特性曲线和电流方程 与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。 转移特性曲线如图1(b)所示, 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随VDs而变化,即不同的VDs 所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用VDs 大于...
当光伏组件的外部电路处于开路状态（即电阻无穷大，电流为 0）时，此时的电压称为开路电压。在 I - V 曲线上，它是曲线与电压轴的交点。Voc 的值取决于光伏材料的特性、电池的结构和光照强度等因素。短路电流（Isc）当光伏组件的外部电路处于短路状态（即电阻为 0，电压为 0）时，此时的电流称为短路电流。在 ...
我们知道,导致器件I-V特性变化的直接因素就是器件内部的电阻分布,具体可以细分为串联电阻和并联电阻,其简化电路模型如下图所示。 图2 LED器件等效电路图 首先,串联电阻(Rs)的增加会使器件消耗更多的电压,即需要更高的驱动电压实现同样的电流输出,直接表现为器件正向工作电压的增加、曲线斜率的减小,具体如图 1(Effect...
图1 光伏组件特性曲线 如果光伏组件有故障,那么整个光伏阵列的特性曲线就会出现异常,以下我们以实际的例子对上面的内容进行详细的讲解。 在对光伏阵列进行测试前,我们需要先把组件的灰尘清理干净,然后再对光伏阵列进行I-V曲线扫描,由于在户外测试时,测试结果容易受环境变化影响,为确保结果真实可靠,我们对同一个光伏阵列...
你可以认为I-V曲线有点类似足球场,有时我们也叫“pitch”- 场地外围限定了微波信号的边界,如图1所示。简而言之,一旦越界,你的信号就会被削,这样就会导致信号压缩以及非线性失真。边界由如下规则界定: 1.Vknee和Imax,见图1中的边角标记m1 2.零电流线对应了栅源Pinch-off电压(Vpo) ...
以最基础的测试MOS管的I-V曲线来上手Cadence Virtuoso。 图1 打开virtuoso 感觉第一次接触Linux系统的时候还挺懵的,但是掌握了一些技巧之后也算是熟能生巧了(Mac OS也是基于Linux的)。一般来说,要在Linux系统中的终端里配置一下环境,然后输入virtuoso便能打开软件。
NMOS管I/V特性曲线 这是NMOS管的I/V特性曲线,我们不难看出, 当VGS < Vth时,导电沟道未形成,故处于截止区。 当VGS >Vth, 且0 < VDS < VGS-Vth时,器件工作在线性区(三极管区)。 当VGS >Vth, 且VDS > VGS-Vth时,沟道电流ID基本不随VDS的变化而变化。此时器件工作在饱和区。可以看到器件工作在饱和区时...
光伏组件特性曲线又叫I-V曲线,这个曲线是分析光伏组件发电性能的重要依据。一般情况下,组件出厂时都要进行I-V曲线测试,以便确定组件的电性能是否正常和功率大小。但是在电站安装完成后很少人会再去对阵列进行I-V曲线测试,从我的从业经验来看我认为这个是非常有必要的。
答案:热平衡时突变PN结的能带图、电场分布如下所示,Ec-|||-qVs-|||-Ec-|||-一一一一-|||-Lqvn-|||-Ey-|||-0p-|||-0-|||-有-|||-一十其-|||-面积=扩散势-|||-m反向偏置后的能带图和相应的I-V特性曲线如下所示。p-|||-1-|||-内处电写-|||-(a)-|||-外电场-|||-十-|||...