I-V 特性由在中性区域的少数载流子电流来决定。为了计算它们,用n区中空穴的连续方程式,按照式(2-84)得出: 这里是假设稳态情况,用少数载流子寿命和额外空穴浓度来表示额外复合率 R_p。因为假设空穴浓度p小于n, 此外,在中性区的电场是小的, 因此,将式(3-41) 代入式(3-40), 得出 用边界条件 p(x_n)=p_...
西安理工大学电子工程系刘静 2014-02-25 1 第一章 PN结 1.3 直流特性(I-V特性) 流过二极管的电流是外加直流电压的函数,即器件 的I-V特性。本节将在二极管电流和器件内部工作机 理,器件参数之间建立起定性和定量的关系。 1. 理想二极管的电流电压方程的求解 2. 理想二极管(长二极管和短二极管的区别)及 其电...
I-V特性测试难点 种类多 微电子器件种类繁多,引脚数量和待测参数各不相同,此外,新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求,要求测试设备具备更高的低电流测试能力,且能够支持各种功率范围的器件。 尺寸小 随着器件几何尺寸的减小,半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级...
测量 PV 模块 I-V 特性 PV模块的I-V特性曲线是通过给PV模块施加从短路到开路的一系列阻抗、并测量在每个负载上产生的电流和电压后生成的。一种方法是通过高额定功率电位计或负载箱的多种设置进行迭代，并在每个点上实施测量。这种方法有一个缺陷：短暂的遮蔽或照明，比如飞鸟、云彩、或明亮反射体越过头顶，会引起...
根据光电二极管的 I-V 特性,可分为太阳能电池模式、光电二极管模式、雪崩模式、盖革模式等几种工作状态,下图是光电二极管分别在明暗条件下的 I-V 曲线。盖革模式下的光电二极管的增益理论上是无穷的,所以经常被用来进行单光子探测,也称作单光子雪崩二极管(SPAD)。
1、 第六章 pn结6.1 pn 结及其能带图结及其能带图6.2 pn结电流电压特性结电流电压特性6.3 与理想情况的偏差与理想情况的偏差*(理解)(理解)据统计:半导体器件主要有据统计:半导体器件主要有67种,另外种,另外还有还有110个相关的变种个相关的变种所有这些器件都由少数基本模块构成:所有这些器件都由少数基本模块构成: ...
MOS管i-v特性-参数 MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压Vp,而用开启电压VT表征管子的特性。 各种场效应管特性比较 MOS管i-v特性-MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 NMOS 的特性,Vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况( 低端驱动),只要栅极...
PV模块的I-V特性曲线是通过给PV模块施加从短路到开路的一系列阻抗、并测量在每个负载上产生的电流和电压后生成的。一种方法是通过高额定功率电位计或负载箱的多种设置进行迭代,并在每个点上实施测量。这种方法有一个缺陷:短暂的遮蔽或照明,比如飞鸟、云彩、或明亮反射体越过头顶,会引起输出功率的瞬间下降或骤增,从而...
如果施加在电阻元件 R 端子上的电源电压 V 发生变化,产生的电流 I 测量,这个电流的特征是: I = V / R ,是欧姆定律方程之一。 我们从欧姆定律知道,作为电压电阻增加,流过它的电流也增加,有可能构建一个图表来显示相关性电压和电流之间的关系如图中所示,表示电阻元件的伏安特性(其i-v特性曲线)。考虑下面的电路...
PV模块的I-V特性曲线是通过给PV模块施加从短路到开路的一系列阻抗、并测量在每个负载上产生的电流和电压后生成的。一种方法是通过高额定功率电位计或负载箱的多种设置进行迭代,并在每个点上实施测量。这种方法有一个缺陷:短暂的遮蔽或照明,比如飞鸟、云彩、或明亮反射体越过头顶,会引起输出功率的瞬间下降或骤增,从而...