完全なモデルを作成することなく、半導体ブロックの I-V 基本特性をプロットできます。そのプロットを使用して、デバイス特性に関するパラメーター選択の影響を調べます。ブロックをデータシートからパラメーター化する場合は、プロットとデータシートを比較して、ブロックを正しくパラメー...
摘要: 半導体化BaTiO_3-In複合粒子接触界面のI-V特性 壇 武弘 , 江頭 満 , 京野 純郎 , 不動寺 浩 , 新谷 紀雄 粉体工学会誌 36(4), 280-285, 1999-04-10 展开 关键词: Complex Particle Contact Interface Semiconductive Barium Titanate Metallic Indium I-V Characteristics 年份: 1999 收藏...