LED 产品规格书都有V-I特性曲线,依曲线说明可分”定电流”与”定电流+定电压”两种,定电流机型仅适用于LED应用,定电流+定电压机型适用于LED或一般应用,非适用于LED驱动区间会以虚线表示,依保护方式可分为打嗝与定电流模式,其区间只表示此电流特性,无定义电流值误差,如果客户需求为不希望有过高短路电流可选择此区...
二极管的V–I特性 半导体二极管的V–I特性如图所示。下面对V–I特性分三部分加以说明。 二极管的V–I特性曲线1.正向特性正向特性表现为图中的①段。此时正向电压较小,正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。Vth称为门坎电压或死区电压(该电压硅管约为0.5V,锗管为0.1V)。当正向电压大于Vth时,内电场削弱,电流...
压敏电阻典型V-I特性曲线 1)漏电流区:又称为预击穿区,在此区域内,施加于压敏电阻器两端的电压小于其压敏电压,其导电属于热激发电子电导机理。因此,压敏电阻器相当于一个10MΩ以上的绝缘电阻(Rb远大于Rg),这时通过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级,可看作为开路,该区域是电路正常运行时压敏电阻器所处的状态。 2)...
2可变阻抗型串联补偿器:TCSC(V-I特性)电压补偿模式:维持串联补偿电压不变。容性工作区,线路电流Imin时,最小触发延迟角αClim限制了额定最大容性补偿电压VCmax;感性工作区,最大触发延迟角αLlim限制了额定最大感性补偿电压VLmax。阻抗补偿模式:维持串联补偿阻抗不变。容性工作区,α=αClim时,...
1MOV V—I特性的形式 V~I特性表示了一种元器件的电压一电流之间的关 系。V~I特性曲线中的座标,可以用电压值(伏特数) 一电流值(安培数)来表示,也可以用电压,电流的相 对值来表示,例如MOV的v~I特性,电压座标可以是加 压比(所加电压对压敏电压之比),电流座标可以是电 流密度。 众所周知,M0v的v~I...
如何理解瞬变抑制二极管的V-I特性曲线? 瞬变抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS)是一种用于保护电路免受瞬态电压干扰的电子元件。它的主要作用是在电路中检测到过电压时,将过电压的能量引导到地线或其他低阻抗路径上,从而保护电路中的其他元件不受损坏。
Points: 100点,然后开始, 然后打开电压扫描图,DEMO为频率电压扫描结果。 电压扫描图。 打开DEMO ,菜单X1T2(XY 坐标翻转)-->Y+T-(Y 坐标+-翻转)-->LOG(对数)得到下图。 对比LTspice模拟,CH1/CH2对应V(CH1)/V(CH2) ,5V(ma) 对应I(R2),可以看到二极管0.7v上升拐点电流5-6ma。
浅析V-I 特性曲线在故障分析时的运用 浅析 V-I 特性曲线的运用 (故障诊断) 1、 冷态空载 V-I 特性曲线是衡量电除尘器制造、 安装质量的依据, 应在除尘器投运前作, 首次试验的曲线要保存, 以便和以后运行中停炉时再做的 V-I 曲线进行比较, 判断除尘器内部结构是否变形, 出现异常, 使检修人员能及时发现故...
利用半导体的这些特性制成了各种各样的半导体器件。引起导电性能产生很大变化的外界条件有:2-1-2锗、硅晶体的共价键结构1、原子结构硅+14锗+32共同特点:最外层具有4个价电子。+42晶格与共价键半导体的共价键结构处于共价键中的电子称为束缚电子,能量小,不能参与导电。2-1-3本征半导体与本征激发本征半导体:高度...
电工电子示范中心 Multisim 2001的用户界面 Multisim12 的用户界面 实验一 二级管V-I特性曲线 一、实验目的 二、实验原理 三、实验电路 四、实验内容 电工电子示范中心 一、实验目的 1. 学习Multisim软件的使用方法; 2. 学习使用Multisim直流扫描分析来验证二极管 的V-I特性曲线。 3. 学习如何改变元器件的模型参数...