i-line光刻机采用的是i线光源,波长为365纳米。它通过以下几个步骤实现光刻的机制: 1. 掩膜对准:首先,在光刻胶上覆盖一层掩膜,掩膜上有芯片的电路图案。将掩膜放置在与光刻胶相接触的位置,并通过对准系统进行对准,确保掩膜上的图案与光刻胶的位置完全匹配。 2. 光刻胶涂覆:将光刻胶涂覆在硅片上,形成一层均...
第一二代光刻机均为接触接近式光刻机，曝光方式为接触接近式，G线（G-line）光刻机，使用的是436nm波长的光源。而I线（I-line）使用的是365nm波长的光源，这两种光刻机，也叫做紫外光刻机。而第三代升级为投影式光刻机，利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻，以扫描的方式...
8月31日消息,尼康公司通过官网发布公告称,将推出型号为“NSR-2205iL1”的5倍缩小的 i-line 步进式光刻机,该产品将用于制造电力和通信半导体以及 MEMS 等各种器件。与现有的尼康 i-line曝光系统相比,NSR-2205iL1 具有出色的经济性,无论晶圆材料如何,都可以优化各种半导体器件的生产。预计将于2024 年夏季上市销售。
在iline光刻机中,激光干涉技术被用于实现光刻过程中的精确定位和曝光控制,从而保证了光刻图案的高精度和高效率。此外,iline光刻机还采用了先进的光学系统和精密的机械结构,以确保光刻过程的稳定性和可靠性。其工作原理主要涉及到光源的发射、光束的整形和聚焦、光刻胶的曝光和显影等步骤,通过精确...
摘要:8月31日消息,尼康公司通过官网发布公告称,将推出型号为“NSR-2205iL1”的5倍缩小的 i-line 步进式光刻机,该产品将用于制造电力和通信半导体以及 MEMS 等各种器件。与现有的尼康 i-line曝光系统相比,NSR-2205iL1 具有出色的经济性,无论晶圆材料如何,都可以优化各种半导体器件的生产。预计将于2024 年夏季上...
这个专利概述中不是说了嘛,紫外窄光谱,这个说的是激发光源是NUV谱400-300nm的汞灯光源,也就是i-line 对应365nm波长光源线。但是这个按国内的镜头只能做到200nm精度。 国内现在拿出成品销售的上海微电子SEEE,可做IC前道加工的600系列光刻机。i-line汞灯光源,只能加工200nm, ...
8月31日,尼康宣布推出新一代5倍缩小的i-line步进式光刻机“NSR-2205iL1”,可用于制造功率、通信器件及MEMS器件等,并且完全兼容现有的尼康i-line曝光系统。 据官网资料,与现有的尼康i-line光刻机相比,NSR-2205iL1具有出色的性价比,无论何种晶圆材料,都可以优化各种半导体器件的生产。该设备预计将于2024年夏季上...
第一二代光刻机均为接触接近式光刻机,曝光方式为接触接近式,G线(G-line)光刻机,使用的是436nm波长的光源。而I线(I-line)使用的是365nm波长的光源,这两种光刻机,也叫做紫外光刻机。 而第三代升级为投影式光刻机,利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻,以扫描的方式实现曝光...
第一二代光刻机均为接触接近式光刻机,曝光方式为接触接近式,G线(G-line)光刻机,使用的是436nm波长的光源。而I线(I-line)使用的是365nm波长的光源,这两种光刻机,也叫做紫外光刻机。 而第三代升级为投影式光刻机,利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻,以扫描的方式实现曝光...
第一二代光刻机均为接触接近式光刻机,曝光方式为接触接近式,G线(G-line)光刻机,使用的是436nm波长的光源。而I线(I-line)使用的是365nm波长的光源,这两种光刻机,也叫做紫外光刻机。 而第三代升级为投影式光刻机,利用光学透镜可以聚集衍射光提高成像质量将曝光方式升级为光学投影式光刻,以扫描的方式实现曝光...