在各类光刻机中，I-line、KrF、ArF dry、ArFi以及EUV光刻机的市场规模占比分别为4%、15%、5%、33%和43%。2）未来国内i-line和KrF光刻机市场将达374亿根据IC Insight、ASML、Nikon、Canon等机构的年报数据，i-line和KrF光刻机在2017至2022年间的出货量复合年均增长率约为16.3%。展望2025年，预计国内市场销...
国内早期与全球的光刻机水平相差并不是特别大，像G线、I线国内都有，KrF国内也有，目前的水平是ArF光刻机，但在ArFi上就停止不前了，因为美国对技术、元件等进行了封锁。目前上海微电子的光刻机，采用的就是193nm波长光源的DUV光刻机，但是介质是空气。下一步理论上要实现浸润式光刻机，即虽然还是193nm波长的...
这一代叫做KrF光刻机,采用248nm光源的光刻机。 第四代的ArF光刻机,与第三代KrF原理一样,但光源升级,采用193nm光源的光刻机,这两种称之为DUV光刻机,也叫做DUV光刻机。 而第五代叫做ArFi,前面三个字母相同,因为采用的也是193nm光源,但这种又与ArF不一样,之前所有的光刻机其介质采用的是空气,但到了ArFi时...
i线、g线、KrF、ArF和EUV光刻机光源的波长分别为365nm、436nm、248nm、193nm、13.5nm。 氟化氩光刻机也就是深紫外光刻机,其光源波长193纳米,套刻精度小于8纳米,可用于制造7纳米以上的芯片,真的是太不容易了...
国内早期与全球的光刻机水平相差并不是特别大,像G线、I线国内都有,KrF国内也有,目前的水平是ArF光刻机,但在ArFi上就停止不前了,因为美国对技术、元件等进行了封锁。 目前上海微电子的光刻机,采用的就是193nm波长光源的DUV光刻机,但是介质是空气。下一步理论上要实现浸润式光刻机,即虽然还是193nm波长的光刻...
DUV光刻机也包括两个大类，分为浸入式和干燥式，浸入式为ARFi光刻机；干燥式分为三种，分别是i-line、KRF和ARF三种光刻机。按照光刻机的发展先后顺序，分别是i-line、KRF、ARF、ARFi。一个主要区别在于光源的波长，分别是365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米和13.5纳米。这些光源的最大分辨率分别是90nm，...
至于第六代光刻机,则是EUV光刻机,采用的则是13.5nm的极紫外线(EUV)光源了,所以也称之为EUV光刻机,这种光刻机目前只有ASML能制造,全球仅此一家,用于7nm及以下的芯片制造。 国内早期与全球的光刻机水平相差并不是特别大,像G线、I线国内都有,KrF国内也有,目前的水平是ArF光刻机,但在ArFi上就停止不前了,因...
DUV光刻机也包括两个大类,分为浸入式和干燥式,浸入式为ARFi光刻机;干燥式分为三种,分别是i-line、KRF和ARF三种光刻机。 按照光刻机的发展先后顺序,分别是i-line、KRF、ARF、ARFi。 一个主要区别在于光源的波长,分别是365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米和13.5纳米。这些光源的最大分辨率分别是90nm,60nm...
国内早期与全球的光刻机水平相差并不是特别大,像G线、I线国内都有,KrF国内也有,目前的水平是ArF光刻机,但在ArFi上就停止不前了,因为美国对技术、元件等进行了封锁。 目前上海微电子的光刻机,采用的就是193nm波长光源的DUV光刻机,但是介质是空气。下一步理论上要实现浸润式光刻机,即虽然还是193nm波长的光刻...
假期消息面一、光刻机:光刻机经历了5代产品发展,按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理从接触接近式光刻机发展到浸没步进式投影光刻机和极紫外式光刻机。光源是光刻机的核心构成之一,其波长决定了光刻机的工艺能力。光刻机根据光源不同可分