Bank06: 0xad,0x7e,0x28,0x53,0x2,0xb0,0x0,0x0 - Hynix 3dv6-128L TLC 16k 512Gb/CE 512...
三星正在开发 400 多层 3D NAND 据消息报道,三星目前正在开发286 层的第九代 3D NAND ,并正在开发 400 层技术。这是通过 2025 年 IEEE 国际固态电路会议议程发布透露。 据介绍,这款 1 兆位 NAND 芯片的密度为 28 Gb/mm2,层数超过 400 层,采用三级单元 (3b) 格式,将成为三星 V-NAND 技术的第十代产品。