HV-H3TRB标准是一种高温高湿反偏测试的考核标准,其中H代表高温,3代表高湿,TRB代表反偏测试。该标准通常用于评估电子元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下的适应能力,以及在高温、高湿、偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程。 对于1200V耐压器件,HV-H3TRB考核标准中耐压通常为100V,而在HV-H3TRB考...
HV-H3TRB是一种高压H3继电器板,具有以下主要特性: 1.高压能力:HV-H3TRB继电器板能够承受高电压的冲击和工作。其设计和材料选择使得其能够在高压环境下稳定运行。 2.电气性能:HV-H3TRB继电器板具有良好的电气性能,包括低损耗、低噪音、低温升和高工作可靠性等特点。 3.绝缘性能:HV-H3TRB继电器板具有良好的绝缘性能...
在HV-H3TRB测试中,电压击穿通常是由于电子元器件内部的绝缘材料在高压下失去绝缘性能,导致电流突然增大,从而损坏元器件。这种失效模式通常与高温高湿环境下的电化学反应有关,例如金属腐蚀、氧化等。 二、HV-H3TRB电压击穿的影响 电压击穿是HV-H3TRB测试中的一个重要失效模式,如果元器件在测试中发生电压击穿,那么它可...
限制电压是为了避免测试中的模块自发热从而导致相对湿度的降低。 其次,我们还需要介绍HV-H3TRB测试。HV-H3TRB是高压高湿高温反偏测试,它是根据市场需求和现场故障经验推出的。在测试过程中,测试电压通常会设置为阻断电压的80%,但没有限制。各个产商目前已逐步在功率模块可靠性测试中实施。 图1:HV-H3TRB 测试模块 ...
1.分立器件HV-H3TRB的基本原理 分立器件是指功能单一的器件,如二极管、晶体管等,不同于集成电路。HV-H3TRB的“HV”代表“高压”,而“H3TRB”则代表其具体的型号和规格。这种器件常用于高电压、大电流的场合,具有耐受高压和高温的特性。 2.分立器件HV-H3TRB的应用场景 分立器件HV-H3TRB常被应用于电力电子领域,...
扬杰科技申请一种提高HV-H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法专利，提高整个器件的反向耐压 金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高HV-H3TRB可靠性能力的二极管及制备方法”，公开号CN202410623582.2，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种提高HV‑...
测试电压的大幅提升对于IGBT无疑是更严峻的考验,而IGBT7通过优化设计,通过了1000小时的HV-H3TRB测试,显示出对高压及潮湿环境的卓越适应能力。 此外还会产生少量的电源调制噪声,如测量的电源调制比(PSMR)。该PSMR是对调制到RF发射载波上的缺陷(纹波和噪声)的测量。可以使用非隔离的RF负载点调节器(PMIC中的RF PoL...
近日,继芯塔电子自主研发的1200V/80mΩSiC MOSFET器件获得全套AEC-Q101车规级可靠性认证后,又成功通过第三方权威检测机构(广电计量)高压960V H3TRB(HV-H3TRB)可靠性考核。此举标志着芯塔电子跻身为国内少数SiC MOSFET产品通过双重考核的厂商之一。 AEC-Q101是汽车行业最为重要的的国际标准之一,也是国际汽车行业通用...
WOLFSPEED公司推出的半桥功率模块——WAS300M12BM2,额定电压为1200V,额定电流为300A 。它除了具有低导通阻抗(4.2mΩ )、低损耗(结温150℃下最高1668W )、高频高效等优势外,还内置具有优良的高压、高温高湿反偏特性的HV-H3TRB半桥模块。为了验证特殊场合产品的高可靠性,产品需经过高温高湿反偏试验。因此,其能...
1.一种提高hv-h3trb可靠性能力的二极管制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 2.根据权利要求1所述的一种提高hv-h3trb可靠性能力的二极管制备方法,其特征在于,步骤s200中,p型离子注入区域为铝离子高温注入,注入温度为450℃-550℃,注入能量为20kv-500kv。