因而通过HV-H3TRB可靠性验证,意味着功率器件在极端运行环境下仍有优良耐受能力及使用寿命。当前,获得AEC-Q101车规级认证并通过HV-H3TRB可靠性考核逐渐成为各大主流汽车及光伏储能厂家对高可靠性功率器件的通用要求。 自2022年初首款SiC MOSFET量产后,芯塔电子在不到两年的时间里先后推出了650V/1200V/1700V三个电压...
根据清纯半导体官方消息,9月29日,清纯半导体1200V 75 mΩSiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证,荣获全套AEC-Q101车规级认证,并通过高压960V H3TRB(HV-H3TRB)可靠性考核。 据悉,AEC-Q101是汽车行业最为重要的的国际标准之一,是国际汽车行业通用的技术规范,是汽车电子必须获得的认证之一。对于1200V耐压器件,AEC-...
本次考核由第三方权威检测机构——广电计量进行。 蓉矽半导体1200V 40mΩ SiC MOSFET电压等级为1200V,AEC-Q101标准中对H3TRB项目的反偏电压要求通常为100V,而HV-H3TRB考核则需将考核电压提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中顺利通过了 HV-H3TRB可靠性验证,同时对于应用端特别关注的栅氧可靠性问题,蓉矽的产...
使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。 蓉矽半导体OBC应用解决方案 蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核,支持11kW/22kW大功率主流充电,适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。 采用1200V SiC器件可以...