HV-H3TRB是高压高湿高温反偏测试,它是根据市场需求和现场故障经验推出的。在测试过程中,测试电压通常会设置为阻断电压的80%,但没有限制。各个产商目前已逐步在功率模块可靠性测试中实施。 图1:HV-H3TRB 测试模块 图2:IEC标准定义了四种不同等级的测试时间 2.失效现象及理论分析 模块的防潮能力取决于芯片设计、...
hv-h3trb标准 HV-H3TRB标准是一种高温高湿反偏测试的考核标准,其中H代表高温,3代表高湿,TRB代表反偏测试。该标准通常用于评估电子元器件在高温、高湿度或伴有温度湿度变化条件下的适应能力,以及在高温、高湿、偏压条件下对湿气的抵抗能力,加速其失效进程。 对于1200V耐压器件,HV-H3TRB考核标准中耐压通常为100V,...
HV-H3TRB标准是一种用于高压H3继电器板的技术规范和要求。该标准旨在确保HV-H3TRB产品能够达到一定的性能指标,并能在特定的应用环境中正常工作。 二、主要特性 HV-H3TRB是一种高压H3继电器板,具有以下主要特性: 1.高压能力:HV-H3TRB继电器板能够承受高电压的冲击和工作。其设计和材料选择使得其能够在高压环境下稳定...
而在HV-H3TRB(高压高温高湿反偏试验)考核中,1200V耐压器件的耐压提高到960V,这对器件的设计、制造及封装技术提出了更严苛的要求,因而通过HV-H3TRB可靠性验证,意味着功率器件在极端运行环境下仍有优良耐受能力及使用寿命。当前,获得AEC-Q101车规级认证并通过HV-H3TRB可靠性考核逐渐成为各大主流汽车厂家对高可靠性...
半导体产业网讯:近日,清纯半导体官宣1200V 75 m SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证,荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核。 据悉,清纯半导体是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。
在HV-H3TRB测试中,电压击穿通常是由于电子元器件内部的绝缘材料在高压下失去绝缘性能,导致电流突然增大,从而损坏元器件。这种失效模式通常与高温高湿环境下的电化学反应有关,例如金属腐蚀、氧化等。 二、HV-H3TRB电压击穿的影响 ...
半导体产业网讯:近日,清纯半导体官宣1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证,荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核。 据悉,清纯半导体是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。
1.分立器件HV-H3TRB的基本原理 分立器件是指功能单一的器件,如二极管、晶体管等,不同于集成电路。HV-H3TRB的“HV”代表“高压”,而“H3TRB”则代表其具体的型号和规格。这种器件常用于高电压、大电流的场合,具有耐受高压和高温的特性。 2.分立器件HV-H3TRB的应用场景 分立器件HV-H3TRB常被应用于电力电子领域,...
近日,继芯塔电子自主研发的1200V/80mΩSiC MOSFET器件获得全套AEC-Q101车规级可靠性认证后,又成功通过第三方权威检测机构(广电计量)高压960V H3TRB(HV-H3TRB)可靠性考核。此举标志着芯塔电子跻身为国内少数SiC MOSFET产品通过双重考核的厂商之一。 AEC-Q101是汽车行业最为重要的的国际标准之一,也是国际汽车行业通用...
2022年9月29日我司1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证,荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核。据我司所知,这是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。