HP Bank,从名字就可以看出来,应用于高性能也就是速度比较高的场景,比如DDR或者其它高速差分总线(不是gtx),由于速率比较高,Bank电压最高也只能到1.8V。 HR Bank表示支持wider range of I/O standards,最高能够支持到3.3V的电压。 HD Bank应用于低速I/O的场景,最高速率限制在250M以内,...
HD:High Density HP Bank,从名字就可以看出来,应用于高性能也就是速度比较高的场景,比如DDR或者其它高速差分总线(不是gtx),由于速率比较高,Bank电压最高也只能到1.8V。 HR Bank表示支持wider range of I/O standards,最高能够支持到3.3V的电压。 HD Bank应用于低速I/O的场景,最高速率...
HP:High Performance HR:High Range HD:High Density HP Bank,从名字就可以看出来,应用于高性能也就是速度比较高的场景,比如DDR或者其它高速差分总线(不是gtx),由于速率比较高,Bank电压最高也只能到1.8V。 HR Bank表示支持wider range of I/O standards,最高能够支持到3.3V的电压。 HD Bank应用于低速I/O的场...
HP Bank,从名字就可以看出来,应用于高性能也就是速度比较高的场景,比如DDR或者其它高速差分总线(不是gtx),由于速率比较高,Bank电压最高也只能到1.8V。 HR Bank表示支持wider range of I/O standards,最高能够支持到3.3V的电压。 HD Bank应用于低速I/O的场景,最高速率限制在250M以内,最高电压也是支持到3.3V ...
引言:Xilinx 7系列FPGA IO Bank分为HP Bank和HR Bank,HP IO接口电压范围为1.2V~1.8V,可以实现高性能,HR IO接口电压范围为1.2V~3.3V。当HR Bank与2.5V或者3.3V外设互联时,需要考虑接口电平的兼容性。 根据性能需求、功能和信号类型(输入、输出或双向),有不同的接口设计选项。本应用说明探讨诸如添加电阻器、场...
HR bank一般用来满足高范围电平接口,电压最高支持到3.3V;HD bank用来支持低速接口;ultrascaler器件会组合使用HP、HD、HR bank,但是不保证在同一个器件中同时会有3个类型的bank。 如果你想要了解更多有关hp bank的电压范围信息,可以查阅相关的技术文档或咨询设备制造商。
引言:Xilinx 7系列FPGA IO Bank分为HP Bank和HR Bank,HP IO接口电压范围为1.2V~1.8V,可以实现高性能,HR IO接口电压范围为1.2V~3.3V。当HR Bank与2.5V或者3.3V外设互联时,需要考虑接口电平的兼容性。 根据性能需求、功能和信号类型(输入、输出或双向),有不同的接口设计选项。本应用说明探讨诸如添加电阻器、场...
1. HR I/O bank 旨在支持更广泛的 I/O 标准，电压高达 3.3V。2.HP I/O bank 旨在满足电压高达...
1 HR bank是否可以接DDR3，本设计4GB，应该用几片DDR？有推荐型号么？2 HP bank引出64对 lvds，输出...
HR bank虽然没有DCI功能,但也支持内部的阻抗匹配,也称为IN_TERM。它和DCI差异可以总结为不支持自动校正和补偿,只是固定40欧、50欧和60欧,通过约束方式来调整。 NET "pad_net_name"IN_TERM ="UNTUNED_SPLIT_50"; 当然,这里我们需要选择支持IN_TERM的电气标准。