(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)器件的高集成度要求,因此,有必要研究新一代High-k材料来替代传统的SiO_2.选择一种适当的High-k材料,需要综合考虑以下几方面的问题:(1)具有高介电常数,高的势垒和能隙;(2)在Si上有良好的热稳定性;(3)与Si之间不发生界面反应;(4)非晶态栅介质更理想;(5)...