High K材料介绍 高介电常数材料或称high-K材料,k即介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-K)材料和高介电(high-K)材料。在半导体制造过程中,一般来说low-k材料介电常数低于3.0;而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-K...
高介电常数材料或称high-K材料,k即介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-K)材料和高介电(high-K)材料。在半导体制造过程中,一般来说low-k材料介电常数低于3.0;而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-K材料。 Mos管 Hig...
在半导体制造中,High-K材料通常与金属栅极技术结合使用,形成High-K/Metal Gate(HKMG)工艺。该工艺在45nm及以下节点占据核心地位,成为现代半导体制造的主流技术之一。HKMG工艺可以提高晶体管的性能和可靠性,同时还可以降低制造成本和环境污染。 三、新型High-K材料的发...
High-K高介电前驱体是一种用于制造半导体器件的材料,其主要作用是替代传统的二氧化硅作为介电层材料。High-K材料具有高介电常数,可以在相同厚度下提供更好的电绝缘性能,从而减少器件漏电。同时,High-K材料的热稳定性好,可以在高温下保持稳定的介电性能...
High-K前驱体材料在半导体领域中应用广泛,可以提高器件的性能和可靠性。在DRAM中,High-K前驱体材料可以提高电容器的质量,从而提高DRAM的性能和可靠性。在半导体存储器和逻辑芯片中,High-K前驱体材料可以用作电容电极、栅极过渡层和隔离材料,从而提高器件的性能...
摘要 二氧化鉿為高介電係數(high-K)之介電層材料 其理論介電係數約為 25 利用此高介電常數之薄膜作為閘極介電層可以降低操作電壓並且縮小元件尺寸 符合未來低耗能和微電子元件製作。有機薄膜電晶體(Organic thin film transistors)主要應用於軟性電子元件上 而作為主動層(Active layers)的有機薄膜有很多種類 而...
半導體製程㆗高介電(半導體製程㆗高介電(High K )材料的介紹)材料的介紹 半導體製程㆗高介電(半導體製程㆗高介電( )材料的介紹)材料的介紹 江長凌 林煥祐 朱智謙 台灣大學化研所 隨著電子產品的高功能化需求,以及訊號傳輸的高速高頻化,被動元件與主動元件
“K”代表介电常数,一般指的是材料集中电场的能力。在高介电常数的绝缘体中,相同的材料厚度下,该材料能够储存更多的电流容量。因此,High-K材料一般指高介电常数的材料。 导读 近日,美国斯坦福大学和SLAC国家加速器实验室的研究人员共同发现将硒化铪(HfSe2)和硒化锆(ZrSe2)这类High-K材料降低厚度变成2D的超薄材...
介电常数k>3.9时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1] 所谓High-K电介质...