High-K高介电前驱体是一种用于制造半导体器件的材料,其主要作用是替代传统的二氧化硅作为介电层材料。High-K材料具有高介电常数,可以在相同厚度下提供更好的电绝缘性能,从而减少器件漏电。同时,High-K材料的热稳定性好,可以在高温下保持稳定的介电性能...
在半导体制造中,High-K材料通常与金属栅极技术结合使用,形成High-K/Metal Gate(HKMG)工艺。该工艺在45nm及以下节点占据核心地位,成为现代半导体制造的主流技术之一。HKMG工艺可以提高晶体管的性能和可靠性,同时还可以降低制造成本和环境污染。 三、新型High-K材料的发...
High-K前驱体材料在半导体领域中应用广泛,可以提高器件的性能和可靠性。在DRAM中,High-K前驱体材料可以提高电容器的质量,从而提高DRAM的性能和可靠性。在半导体存储器和逻辑芯片中,High-K前驱体材料可以用作电容电极、栅极过渡层和隔离材料,从而提高器件的性能...
High K材料介绍 高介电常数材料或称high-K材料,k即介电常数,衡量材料储存电荷能力。按介电常数的高低分为低介电(low-K)材料和高介电(high-K)材料。在半导体制造过程中,一般来说low-k材料介电常数低于3.0;而high-K材料则是相对于栅介质材料SiO2来定义,只要介电常数大于SiO2的介电常数3.9,一般都称为high-K...
SK Trichem表示，这次事故的原因是其提供的high-k材料的纯度有问题，导致某些设备的压力增加，从而出现停产。high-k材料属于前驱体材料，沉积在DRAM电容器的原子水平上，由于电容器直接决定DRAM的性能，因此high-k材料的质量至关重要。目前SK Trichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料，并计划在本月末向SK...
所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1)高介电常数,≤50 nm CMOS器件要求k >20;(2)与Si有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态,以减...
二维材料在晶体管尺寸微缩方面表现出超越硅的潜力,尤其是当物理尺寸下降至亚10纳米量级。然而要保证2D FETs的优异器件性能,具有极高电容的栅介质必不可少,这通常采用介电常数高的Al2O3、HfO2来实现。但是传统high-k材料在沟道界面处存在更多的散射和俘获效应,同时直接沉积的方式容易损伤2D材料的导电沟道。hBN、CaF2...
外延氧化物在High-k材料领域有着重要的应用,特别是钙钛矿型结构的外延氧化物。钙钛矿型结构的外延氧化物具有良好的介电性能、铁电性能、压电性能和铁磁性能,是工业上非常重要的材料。它们被广泛应用于电容器、场效应晶体管、存储器、传感器、微波器件、光电器件等领...
“K”代表介电常数,一般指的是材料集中电场的能力。在高介电常数的绝缘体中,相同的材料厚度下,该材料能够储存更多的电流容量。因此,High-K材料一般指高介电常数的材料。 导读 近日,美国斯坦福大学和SLAC国家加速器实验室的研究人员共同发现将硒化铪(HfSe2)和硒化锆(ZrSe2)这类High-K材料降低厚度变成2D的超薄材...