由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。 厚度挑战: 需要全新的解决方案 组成...
按照这一想法采取的第一个步骤是大约在130nm工艺节点前后,人们引人了氮来形成氮氧化物( oxynitride)栅介质,称为氮氧化硅(SiON), 它能提供的K值为4.1-4.2。高K介质于 2007年开始进入商品制造,首先就是 Intel 45 nm工艺采用的基于铪(hafnium)的材料。氧化铪(Hafilium oxide, 即HfO2 )的k=20 。 有效氧化物...
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。 HKMG: 微缩与性能的突破 在2005年前后,逻辑半导体中基于多晶硅栅极(Po...
通常情况下,基于Hf的栅氧化层用于高温半导体制造工艺,因为它们可以确保自身和硅的热稳定性。为了防止现有多晶硅电极材料与高k栅氧化层之间的相互作用,必须引入金属电极来代替多晶硅。这使得名为高k/金属栅极的集成解决方案应运而生,该解决方案将高介电常数栅氧化层与金属电极相结合。 图4. 采用HKMG的效果 为了将SiON...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...
海力士:引领High-k/Metal Gate工艺变革 描述 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处...
网络米高介电金属闸极技术制程 网络释义 1. 米高介电金属闸极技术制程 ...计,是英特尔至今推出最小的晶片,采用英特尔的45奈米高介电金属闸极技术制程(High-K Metal-Gate)。 arufucing.blogspot.com|基于4个网页 释义: 全部,米高介电金属闸极技术制程
因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+MetalGate(金属栅)电极叠层...
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术,并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行...