但是人造卫星能达到这么远的天际,其所传回来的微弱讯号,必须要能被地面上的卫星接收站所接收,而这其中最大的关键在于接收端的微波低噪声放大器(LNA)。当时低噪声放大器的技术,并没有十足把握能接收到如此微弱的讯号,成为计划成败的最大风险,但如果错失这次机会,就得再等170年。 所幸经由科学家们的努力,在80年代...
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制.该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益.用电子设计自动化(EDA)软件进行电路设计,并对全版图进行电磁场仿真.测试结果表明,当漏压为...
另一项研究中,InAlN/GaN HEMT在8 GHz频率下实现了64.7%至52.7%的功率附加效率(PAE),输出功率密度为1.6–2.4 W/mm。 2. 低噪声放大器(LNA): GaN HEMT在低噪声放大器(LNA)中的应用也取得了显著进展。其高电子迁移率和饱和速度有助于减少电子散射,从而降低噪声并提高放大性能。 研究表明,GaN HEMT在LNA中的应用...
射频器件是实现信号发送和接收的基础部件,是无线通讯的核心,主要包括滤波器(Filter)、功率放大器(PA)、射频开关(Switch)、低噪声放大器(LNA)、天线调谐器(Tuner)和双/多工器(Du/Multiplexer)等类型器件。其中,功率放大器是放大射频信号的器件,直接决定移动终端和基站的无线通信距离、信号质量等关键参数。 功率放大器...
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相比于碳化硅基 GaN HEMT 工艺,硅基GaN HEMT 更具有成本优势,虽然其功率性能较为不足,但是对于处理小信号的LNA却具有很大的商用潜力。 1.2、器件原理 AlGaN/GaN 异质结自发极化与压电极化的示意图 自发极化是指在没有外部应力的情况下,晶格内部存在内建电场。 在所有III-V 族化合物中,氮化物的自发极化强度比大多...
但是人造卫星能达到这么远的天际,其所传回来的微弱讯号,必须要能被地面上的卫星接收站所接收,而这其中最大的关键在于接收端的微波低噪声放大器(LNA)。当时低噪声放大器的技术,并没有十足把握能接收到如此微弱的讯号,成为计划成败的最大风险,但如果错失这次机会,就得再等170年。
LNA电路设计的核心是实现高增益和低噪声系数。在InAs/AlSb HEMTs器件中,高电子迁移率和低噪声特性使其成为一种抱负的LNA放大器器件。在LNA电路设计过程中,需要思量以下几个关键因素: 1. 输入匹配网络:通过设计适当的输入匹配网络,实现电路与信号源之间的阻抗匹配,最大限度地提取微弱信号。 2. 反馈网络:反馈网络能够...
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