共源共栅型GaN功率器件的缺点:两个器件的串联连接增加封装的复杂性,将在高频工作环境中引入寄生电感,可能影响器件的开关性能。 GaN HEMT结构原理图解 (常开型GaN HEMT为例) 典型AlGaN/GaNHEMT器件的基本结构如图5所示。器件最底层是衬底层(一般为SiC或Si材料),然后外延生长N...
hemt器件工作原理 HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气(2-DEG)存在于调制掺杂的异质结中,这种2-DEG不仅迁移率很高,而且在极低温度下也不“冻结”,则HEMT有很好的低温性能, 可用于低温研究工作 (如分数量子Hall效应) 中。 HEMT是电压控制器件,栅极电压Vg可控制异质结势阱的深度,则可控制...
如上所述,AlGaN/GaN HEMT器件能通过外加栅压控制沟道的2DEG面密度,从而实现输出漏极电流随外加栅压和漏极电压的变化而变化;它既能工作在导通区,又能工作在截止区,能在不同外加栅压下截止和导通,因此,它既可以用作交流信号放大器件,又可以用作电力电子器件实现开关特性。
AlGaN/GaN HEMT器件作为场效应晶体管的一种，AlGaN/GaN HEMT器件的基本结构剖面如图1所示。它的基本工作原理如下：对源漏端施加电压，这时流过器件的电流可以通过栅端的电压来控制，其特性就类似于开关。详细来说就是施加正向偏压在漏端，然后在沟道中积累的二维电子气（2DEG）会在源漏之间的压降下形成电流，而该...
GaN HEMT工作原理详解 AlGaN/GaNHEMT为异质结结构器件,通过在GaN层上气相淀积或分子束外延生长AlGaN层,形成AlGaN/GaN异质结。GaN半导体材料中主要存在纤锌矿与闪锌矿结构两种非中心对称的晶体结构。 在这两种结构中,纤锌矿结构具有更低的对称性,当无外加应力条件时,GaN晶体内的正负电荷中心发生分离,在沿极轴的方向上...