HEMT(High Electron Mobility Transistor),高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管,又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。 hemt器件工作原理 HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气(2-DEG)存在于调制掺杂的异...
GaN基HEMT器件在高频、大功率应用方面性能卓越，成为国防、通信等领域亟待期盼的新一代关键元件。然而，由于有源区或生长材料的异质结构，高电场协助下的界面缺陷和陷阱效应，加剧了有源区材料损伤，成为器件高频大功率应用下关键电学参数退化的重要因素。陷阱效应相关的可靠性问题限制了GaN基HEMT器件的广泛应用。...
《三维栅控多沟道III族氮化物MOS-HEMT器件研究》是依托西安电子科技大学，由杨凌担任项目负责人的青年科学基金项目。中文摘要 本课题将基于多沟道、多背势垒的III族氮化物异质外延结构，研制适合进行等比例缩小的三维栅控多沟道III族氮化物MOS-HEMT器件。研究的内容包括：基于阶变V/III比技术的金属有机化合物化学气相淀积...
《高k叠层栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构实现与可靠性表征》是依托西安电子科技大学，由刘红侠担任项目负责人的面上项目。中文摘要 为了进一步提高AlGaN/GaN HEMT器件的性能，满足高温、高频和大功率应用的需求，项目提出了新型的HfAlO/Al2O3 高k叠层栅AlGaN/GaN MOS-HEMT结构，研究新型器件结构的优化技术和...
《高击穿电压InAlN/AlGaN MOS-HEMT材料生长与器件制备研究》是依托西安电子科技大学，由薛军帅担任项目负责人的青年科学基金项目。中文摘要 InAlN/GaN HEMT器件在工作频率方面表现出明显优势，但其低的击穿电压仍不能满足输出功率需求。低的击穿电压主要由薄InAlN势垒层表面缺陷引起的栅漏电和GaN缓冲层击穿导致。针对...
通常，AlGaN/GaN HEMT器件沟道处存在大量的二维电子气，处于导通状态，表现为耗尽型。在实际应用中，增强型HEMT器件同样非常重要，特别是在功率开关以及数字逻辑电路等领域，有利于减小成本和简化电路形式。目前，氟离子注入是一种重要的增强型HEMT器件实现方法。尽管关于它的研究已经较多，但是其可靠...
AlGaN/GaN 高迁移率晶体管（HEMTs）存在天然的二维电子气沟道（2-DEG）,作为电力电子器件具有优秀的导通和开关特性。然而，其栅极常通型的特点不适合大部分系统应用需求。如何实现栅极高性能、高可靠性和工艺兼容性好的增强型AlGaN/GaN HEMTs是学者们所关心的问题。本项目旨在探索利用CMOS兼容的热氧...
《太赫兹频段InP基HEMT器件模型研究》是依托北京理工大学，由吕昕担任项目负责人的面上项目。项目摘要 本课题拟解决的三个科学问题分别为：InP基HEMT材料生长动力学与迁移率控制、太赫兹频段纳米尺度下载流子的输运机理以及太赫兹InP基HEMT器件的建模方法。通过对InP基HEMT材料原子级外延生长动力学的研究，实现对InP基材料...