图2.LVPECL到LVDS的转换 LVPECL到HCSL的转换 如图3所示,在LVPECL驱动器输出端向GND放置一个150Ω电阻对于开路发射极提供直流偏置以及到GND的直流电流路径至关重要。为了将800mV的LVPECL摆幅衰减到700mV的HCSL摆幅时,必须在150Ω电阻之后放置一个衰减电阻(RA =8Ω)。应在HCSL接收器前面放置一个10nF交流耦合电容,以...
如下图所示,在LVPECL驱动器输出端向GND放置一个150Ω电阻对于开路发射极提供直流偏置以及到GND的直流电流路径至关重要。为了将800mV的LVPECL摆幅衰减到700mV的HCSL摆幅时,必须在150Ω电阻之后放置一个衰减电阻(RA =8Ω)。应在HCSL接收器前面放置一个10nF交流耦合电容,以阻止来自LVPECL驱动器的直流电平。放置交流耦合...
SiT9102, SiT9002, and SiT9107差分驱动器支持多种高速信号类型，包括LVPECL（电流模式逻辑），LVDS（低电压差分信号），CML（电流模式逻辑），和HCSL（高电流差分逻辑）。这些输出模式的关键在于正确的端接，以实现最小反射、信号完整性和电磁兼容性。LVPECL输出，如LVPECL0和LVPECL1，分别用于不同的终端...
这些模式中，LVPECL适用于电流模式逻辑信号，LVDS适用于低电压差分信号，CML适用于电流模式逻辑信号，而HCSL则适用于高电流差分逻辑信号。这些输出模式的核心在于恰当的端接技术，这对于最小化反射、保证信号完整性以及电磁兼容性至关重要。LVPECL输出模式，例如LVPECL0和LVPECL1，各自对应不同的终端配置方法。L...
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SiTime差分晶振的LVDS、LVPECL、HCSL、CML模式相互转换过程介绍-差分晶振一般用在高速数据传输场合,常见的有LVDS、LVPECL、HCSL、CML等多种模式。这些差分技术都有差分信号抗干扰性及抑制EMI的优点,但在性能、功耗和应用场景上有很大的区别。下图列举了最常用的几种差分信
图3.LVPECL到HCSL的转换 HCSL到LVDS的转换 在图4中,每个HCSL输出引脚在0和14mA之间切换。当一个输出引脚为低电平(0)时,另一个为高电平(驱动14mA)。HCSL驱动器的等效负载电阻为48Ω,与50Ω并联,相当于23.11Ω。LVDS输入的摆幅为14mAx23.11Ω= 323mV。应在LVDS接收器前放置一个10nF交流耦合电容,以阻止来自...
常见的差分晶振支持的信号类型有LVPECL(低电压正发射极耦合逻辑),LVDS(低电压差分信号),CML(电流模式逻辑)和HCSL(HighSpeed当前指导逻辑)。 差分信号通常具有快速上升时间,例如在100ps和400ps之间,这导致甚至很短的迹线表现为传输线。 为了最小的反射,最佳的信号完整性和最小的EMI,必须正确地端接这些迹线。
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