SK Hynix宣布其第五代10纳米工艺1bnm已经完成验证，将为下一代DDR5和HBM3E解决方案提供支持。SK Hynix 1bnm工艺将为DDR5提供6.4 Gbps的速度，为HBM3E提供8 Gbps的速度。SK Hynix还确认，下一代1bnm节点将被用于生产DDR5和HBM3E（高带宽内存）解决方案。该企业表示，Xeon Scalable平台获得了英特尔认证，支持在1bn...
对于下半年,三星电子表示,随着新款GPU的上市,预计AI相关需求将持续保持高位;将扩大高附加值产品的销售,包括增强型12层堆叠HBM3E产品和128GB及以上的高密度DDR5模块。 在Mobile和PC市场,预计终端设备AI将得到普及,三星电子计划通过其业界领先的10.7Gbps LPDDR5x产品积极响应市场环境的这种转变。
SK海力士1bnm工艺将为DDR5提供高达6.4 Gbps的速度，为HBM3E提供高达8 Gbps的速度，SK海力士还确认，下一代1bnm节点将用于生产DDR5和HBM3E（高带宽存储器）解决方案。该公司表示，至强可扩展平台因支持基于1bnm节点的DDR5产品而获得英特尔认证。提供给英特尔的DDR5产品将运行6.4Gbps（目前是业界最高的），与DDR5开发...
D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位,包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看,HBM产品,尤其是HBM3和HBM3E,性能卓越但目前价格高昂,而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量,例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片,但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。D1a和D...
据报道,AMD 已经与三星代工厂签订了协议,后者将提供 HBM3E DRAM,用于现有和下一代产品,如更新的MI350/MI370 GPU,据说这些产品的内存容量都会增加。 在DDR5 DRAM 方面,三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块,并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下...
对于下半年,三星电子表示,随着新款GPU的上市,预计AI相关需求将持续保持高位;将扩大高附加值产品的销售,包括增强型12层堆叠HBM3E产品和128GB及以上的高密度DDR5模块。 在Mobile和PC市场,预计终端设备AI将得到普及,三星电子计划通过其业界领先的10.7Gbps LPDDR5x产品积极响应市场环境的这种转变。点击...
对于下半年,三星电子表示,随着新款GPU的上市,预计AI相关需求将持续保持高位;将扩大高附加值产品的销售,包括增强型12层堆叠HBM3E产品和128GB及以上的高密度DDR5模块。 在Mobile和PC市场,预计终端设备AI将得到普及,三星电子计划通过其业界领先的10.7Gbps LPDDR5x产品积极响应市场环境的这种转变。
对于下半年,三星电子表示,随着新款GPU的上市,预计AI相关需求将持续保持高位;将扩大高附加值产品的销售,包括增强型12层堆叠HBM3E产品和128GB及以上的高密度DDR5模块。 在Mobile和PC市场,预计终端设备AI将得到普及,三星电子计划通过其业界领先的10.7Gbps LPDDR5x产品积极响应市场环境的这种转变。
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