HBM的封装是将每一片DRAM晶圆叠齐后再做切割，切割下来的晶粒就是HBM。不过，制造商为了让堆叠更薄，会在硅晶圆上穿孔并以金属物质填满，用以通电，借此取代传统封装的导线架。这样的打洞技术则称为“硅通孔（TSV, Through Silicon Via）。”倘若是堆叠4层的HBM，从晶圆堆叠切割前开始，就必须精准对齐硅穿孔（TS...
Cotem成为SK海力士、LG品示的核心供应商，此外雅克也已进入合肥长鑫、长江存储、京东方等国内龙头客户，高算力芯片带动HBM需求，SK海力士作为HBM领军企业，2022年6月宣布开始量产HBM3，预计于2022Q3向英伟达H100系统供应HBM3，UPChemical作为SK海力士前驱体核心供应商，有望充分受益。
Mordor Intelligence 在 10 月份发布的一份报告中提到,自动驾驶汽车以及 ADAS(自动驾驶辅助系统)正在促使 HBM 的需求不断攀升。从目前的形势来看,AI 服务器加上车用 HBM 的市场需求期,可能会持续长达 10 年之久。 HBM 背后的内存市场争夺战! 在这样的大背景下,HBM 已然成为了内存巨头们角逐的最新战场。集邦科技...
受算力驱动，HBM存储器优势凸显，在AI时代迅速击落GDDR、LPDDR在内的竞争对手，价格狂飙、需求暴增：美光 CEO Sanjay Mehrotra 在2023年年底的财报会议上透露，其2024年的HBM产能预计已全部售罄；SK海力士副总裁 Kim Ki-tae 表示，虽然2024年刚开始，但旗下的HBM已全部售罄。当存储三巨头围绕HBM进行升级、扩产的那一...
了解以大容量、低电压和高带宽,将高性能计算(HPC)提升到新高度的三星 HBM(高带宽存储)解决方案的产品矩阵吧!
HBM全称为High Bandwidth Memory，直接翻译即是高带宽内存，是一款新型的CPU/GPU内存芯片。其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。打个比喻，就是传统的DDR就是采用的"平房设计"方式，HBM则是"楼房设计"方式，从而可实现了更高的性能和带宽。如上图，我们以AMD...
1.1 HBM：高带宽低功耗的全新一代存储芯片 HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽内存，作为全新一代的 CPU/GPU 内存芯片，其本质上是指基于 2.5/3D 先进封装技术，把多块 DRAM Die 堆叠起来 后与 GPU 芯片封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。 在结构上，HBM 是由多个 DRAM 堆叠而成，主要...
11月4日，海力士正式于2024年SK AI峰会上宣布开发全球最大容 量16层堆叠HBM3E；展望未来，预计HBM4 12hi（12层）产品将于2026年发布，而HBM4 16hi（16层）产品将于2027年首 次亮相。2 HBM制造的核心壁垒在于晶圆级先进封装工艺 HBM制造中TSV成本占比最高，直接决定良率 HBM制造主要包括TSV（硅通孔）、micro...
1HBM：三分天下 HBM（全称为High Bandwidth Memory），是高带宽存储器，是属于图形DDR内存的一种。从技术原理上讲，HBM是将很多个DDR芯片堆叠在一起后，再和GPU封装合成，通过增加带宽，扩展内存容量，组成DDR组合阵列，以此实现让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案所带来...