总之,HAXPES在表面化学分析上具有突出的优势:①检测更深芯能级的光电子谱峰,扩展光电子能谱的信息;②移动俄歇峰,避免其与特征峰的重叠;③优于常规XPS的分析深度,实现对埋层结构的无损深度分析。 ULVAC-PHI新推出的XPS设备---PHI GENESIS,可同时搭载常规XPS(Al Kα)和HAXPES(Cr Kα),以及UPS、LEIPS、SAM(AES...
XPS-HAXPES结果还表明溅射清洁可以去除LLZO外表面的Li2CO3,却无法完全去除Li2O/LiOH,但热处理可以获得相对清洁的LLZO表面。 图3. 样品2表面至体相的La 3d5/2,O 1s,C 1s和Li 1s HAXPES谱图以及深度上化学组分分布的示意图。 接下来,为了揭示Sb/LLZO界面处未受扰动的Sb的化学态,分别在溅射前后对样品2进行了HAXPE...
本次论坛的召开,必将推动HAXPES技术在国内的广泛应用,特别是充分发挥上海光源E-line作为国内首条软硬复合线的宽能区优势,将HAXPES方法学从科学研究推向产业应用。
[3] ULVAC-PHI作为全 球技术领先的表面分析仪器厂商，一直致力于研发和制造最 先进的表面分析设备，为Lab-based HAXPES的发展贡献自己的一份力量。PHI Quantes?2016年，ULVAC-PHI推出了第 一款基于单色化Cr Kα的HAXPES 系统PHI Quantes?(如图3所示)。PHI Quantes? 是一款全自动HAXPES光电子能谱仪，具备扫描微...
硬X射线光电子能谱(HAXPES)是一种先进的表面分析技术,主要用于研 究固体样品的表面电子结构和化学态. HAXPES利用高能X射线(例如Cr Kα射线 ,能量为5414.7 eV)激发样品表面的电子.通过测量这些电子的能量分布,能 够获得关于样品表面的化学成分和电子结构的详细信息.与传统
TheHAXPEStechnique can be extremely useful to the LIB effort, but care must be taken to understand the effects of SR irradiation, especially as they concern modifications to the SEI. This time is roughly what it takes to collect all cores for a given sample at a given photon energy in one...
为此,硬X射线光电子能谱(简称HAXPES)应运而生,它采用更高能量的硬X射线(5-10 KeV)作为激发源,所激发产生的光电子具有更大的非弹性平均自由程,因此HAXPES可以将XPS的探测深度扩展到几十纳米。HAXPES的独特优势,不仅能够实现对界面结构的无损深度分析,还能将探测信息延伸至更深的芯能级。因此,HAXPES将为基础科学...
表面分析技术漫谈:Lab-based HAXPES③ 上两节分享了硬X射线光电子能谱(HAXPES)的相关知识和优势,可以看到HAXPES采用更高能量X射线,不仅在界面结构的探测上展示了独特的优势,还将探测信息延伸至更深的芯能级,这些优势将为科学研究和产业应用提供强有力的支撑。错过上面两节内容的小伙伴,可以通过本节内容下方的链接进行...
硬X射线光电子能谱仪HAXPES,下一代透明发光材料使用直径约为10nm~50nm 的纳米量子点(QDs),结合使用 XPS(Al Ka X射线)和 HAXPES(Cr Ka x射线)对同一微观特征区域进行分析,可以对 QDs 进行详细的深度结构分析。 详细介绍 PHIGENESIS Model 900 for HAXPES 无需溅射刻蚀的深度探索 下一代透明发光材料使用直径...
This book provides the first complete and up-to-date summary of the state of the art in HAXPES and motivates readers to harness its powerful capabilities in their own research. The chapters are written by experts. They include historical work, modern instrumentation, theory and applications. This...