其中,1号峰和2号峰的跃迁途径能够很容易在能带结构中标定出来,如图2(b)所示,分别对应于以石墨烯M点导带为跃迁终点的石墨烯层内跃迁和石墨烯/h-BN层间跃迁。 图2 转角h-BN/石墨烯异质结构的ELF和石墨烯层内跃迁。(a) 转角h-BN/石墨烯异质结构ELF。(b)h-BN、石墨烯的能带结构。(c)不同转角h-BN/石墨...
其中,1号峰和2号峰的跃迁途径能够很容易在能带结构中标定出来,如图2(b)所示,分别对应于以石墨烯M点导带为跃迁终点的石墨烯层内跃迁和石墨烯/h-BN层间跃迁。 图2 转角h-BN/石墨烯异质结构的ELF和石墨烯层内跃迁。(a) 转角h-BN/石墨烯异质结构ELF。(b) h-BN、石墨烯的能带结构。(c)不同转角h-BN/石墨...
其中,1号峰和2号峰的跃迁途径能够很容易在能带结构中标定出来,如图2(b)所示,分别对应于以石墨烯M点导带为跃迁终点的石墨烯层内跃迁和石墨烯/h-BN层间跃迁。 图2 转角h-BN/石墨烯异质结构的ELF和石墨烯层内跃迁。(a) 转角h-BN/石墨烯异质结构ELF。(b)h-BN、石墨烯的能带结构。(c)不同转角h-BN/石墨...
近日,韩国浦项科技大学Wonyong Choi教授、福州大学王心晨教授(共同通讯作者)等使用低成本的前驱体(尿素和硼酸)制备了一种由CN和h-BN组成的新型二维复合光催化剂(CBN-x),并在Nano Energy上发表了题为“Formation of Heterostructures via Direct Growth CN on h-BN Porous Nanosheets for Metal-free Photocatalysis”的...
ReS2/h-BN/石墨烯异质结对应的平带状态能带图如图1c所示。图1d为ReS2/h-BN/石墨烯异质结的拉曼光谱。ReS2薄片在161和212 cm-1处表现出两个明显的峰,分别对应于面内(E2g)和面外(A1g)振动模式。h-BN的特征峰位于1366 cm-1处,为面内(E2g)振动模式。此外,1580 cm-1(G)和2716 cm-1(2D)处的峰是...
基于石墨烯的这些特殊性质,研究者对石墨烯/h-BN异质结进行了大量的研究,但石墨烯/h-BN纳米带(GBNNR)的许多性质仍不清楚,特别是受局域势调控下的石墨烯/h-BN异质结的能带结构和拓扑量子相变性质。因此在汉斯出版社《凝聚态物理学进展》期刊中,有论文研究在晶格匹配的条件下采用紧束缚方法研究Bernal堆叠zigzag边界...
CN/BN异质结材料的能带结构示意图 【小结】 研究人员将CN负载于h-BN纳米片制备了一种新型的二维异质结。最优的CBN-6复合材料的光催化制氢活性优于Pt-BN,而纯CN仅表现出非常低的制氢活性。相比h-BN,CBN-x样品的光催化产生H2O2活性也有提升。CN/BN复合光催化剂作为具有可调光(电)化学性质新型二维异质结构体系的...
层间转角调控下H-diamond/h-BN界面的能带结构 四种特定层间转角下H-diamond/h-BN异质结的VBM均由H-diamond贡献,而CBM则由h-BN主导,四种构型均表现出II型异质结的特性。电子和空穴在空间上的充分分离有助于降低载流子输运过程中所遭受的库仑散射,这对保障H-diamond表面高迁移率的2DHG意义重大。 层间转角调控下...
图4. (a)-(b) 基于n型h-BN和p型GaN的垂直异质结示意图及实物照片;(c)n-hBN/p-GaN异质结的能带排列示意图;(d)-(e) 线性和对数坐标下基于1层和6层h-BN的n-hBN/p-GaN异质结的I-V特性曲线;(f) 有效电容值随频率的变化趋势及其拟合曲线,以及在3 MHz时的1/C2-V曲线。
(a) ReS2/h-BN/石墨烯浮栅存储器件结构示意图。(b)制备的浮栅存储器的光学显微镜图像。(c) ReS2/h-BN/石墨烯异质结构的平坦能带。(d) ReS2/h-BN/石墨烯异质结构的拉曼光谱。附图为放大后的h-BN拉曼光谱。 图2: 超快非易失性存储器的表征。(a)不同栅极电压扫描范围下的传输特性曲线,Vds = 0.1 v...