h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下,研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅 立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明:在衬底 温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下,沉积时间对h.BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响,且光...
另一方面,阿尔诺先生等人报告说,H-bn是一个间接带隙半导体的ductor 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿诺德 et al 报道那 h BN 是间接带隙半导体 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿瑙德等报告h BN是间接带空白半导体 ...
大量的实验和计算有重点的带隙能量和带结构的 h-亿港元。 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 很多实验和演算集中于h BN带隙能量和带状组织。 翻译结果5复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 很多实验和演算集中于hBN带隙能量和带状组织。 相关内容
另一方面,阿尔诺先生等人报告说,H-bn是一个间接带隙国际半导体设备与材料展览暨研讨会。 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿诺德 et al 报道那 h BN 是间接带隙半导体- 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿瑙德等报告h BN是间接带空白semicon- ...