另一方面,阿尔诺先生等人报告说,H-bn是一个间接带隙半导体的ductor 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿诺德 et al 报道那 h BN 是间接带隙半导体 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿瑙德等报告h BN是间接带空白半导体 ...
和石墨烯混合物(h—BNC)[ ],并指 出石墨烯是零带 隙材料,而 h.BN 是宽带隙材料,可以通过控制二者 在薄膜中的含量实现对材料能带的裁剪,这就提供 了一种在二维尺度上探索能带工程的全新方法 。并 且,h.BN 是制作高质量的外延石墨烯薄膜和器件最 理想的衬底材料,故深入研 究 h.BN 十分必要 。
大量的实验和计算有重点的带隙能量和带结构的 h-亿港元。 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 很多实验和演算集中于h BN带隙能量和带状组织。 翻译结果5复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 很多实验和演算集中于hBN带隙能量和带状组织。 相关内容
另一方面,阿尔诺先生等人报告说,H-bn是一个间接带隙国际半导体设备与材料展览暨研讨会。 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿诺德 et al 报道那 h BN 是间接带隙半导体- 翻译结果4复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 另一方面,阿瑙德等报告h BN是间接带空白semicon- ...