01 研究内容 六方氮化硼(h-BN)是一种新型超宽带隙半导体材料,其带隙宽度约为6 eV。h-BN在深紫外区具有高吸收系数(约为7.0×10⁵ cmˉ¹),但对紫外、可见和近红外光近乎透明。由于吸收带边位于210 nm附近,理论上h-BN只能被波长极短的深紫外光激发。能否用光子能量很低的近红外光(NIR)激发h-BN是对物...
六方氮化硼(h-BN)是一种二维层状宽带隙绝缘材料,其结构与石墨烯类似,但带隙高达~6 eV。它除了具有通常二维材料具有的特性外,如平面二维结构、表面具有原子级平整,不存在悬挂键和陷阱电荷等,h-BN还具有独特且优异的力学、化学、热稳定, 双曲光学特性及声子振动特性,因此在非线性光学领域、紫外激光器/探测器、近...
近红外光激发 01 研究内容 六方氮化硼(h-BN)是一种新型超宽带隙半导体材料,其带隙宽度约为6 eV。h-BN在深紫外区具有高吸收系数(约为7.0×10⁵ cmˉ¹),但对紫外、可见和近红外光近乎透明。由于吸收带边位于210 nm附近,理论...
图1(d)展示了不同转角h-BN/石墨烯垂直异质结构中带间跃迁的典型EELS谱线,其中交叠的跃迁峰由高斯峰形将拟合、分离(如图1(e)所示),得到的能量-转角关系如图1(f)所示。在4-6 eV的能量范围内,有三支跃迁峰出现。作为对比,单层h-BN的EELS结果在6 eV以下没有信号峰,只在6 eV附近出现了带隙对应的上升沿,在...
最近,六方氮化硼(h-BN)纳米材料(如纳米片和纳米管)被认为是一种有效的可逆气体吸附材料,带电后具有高选择性。然而,尽管理论预测令人鼓舞,但由于 h-BN 带隙较大,具有电绝缘性质,因此很难在实验中实现传感。 本文,华中科技大学龙湖...
立方氮化硼在空气中非常稳定,具有很宽的带隙(5.1eV)和高的硬度(莫氏硬度2),能耐2270℃高温,在3270℃左右时才会升华。同时,六方氮化硼具有良好的绝缘性、导热性和化学稳定性、热膨胀/收缩率低等优点,与弱酸和强碱在室温下均不反应。 六方氮化硼的性能 因为六方氮化硼的分子结构特点,所以其具备很多优异的性能,如...
六方氮化硼(h-BN)是一种二维层状宽带隙绝缘材料,其结构与石墨烯类似,但带隙高达~6 eV。它除了具有通常二维材料具有的特性外,如平面二维结构、表面具有原子级平整,不存在悬挂键和陷阱电荷等,h-BN还具有独特且优异的力学、化学、热稳定, 双曲光学特性及声子振动特性,因此在非线性光学领域、紫外激光器/探测器、近...
堆叠过程中,二维材料之间的相对转角为材料的带隙工程提供了新的自由度,也为许多新颖的物理现象提供了研究平台。比如,双层石墨烯中连续可调的范霍夫奇点(vHS)和其诱发的魔角石墨烯超导现象、h-BN/石墨烯异质结构中的第二级狄拉克锥、以及转角过渡金属硫族化合物中的摩尔激子等。
掺杂是指为了改善某种材料或物质的性能,在这种材料或物质中加入少量其他元素或化合物,使材料、基质产生特定的电学、磁学和光学等性能,从而使其具有特定的价值或用途。六方氮化硼作为一种宽禁带半导体,可以通过减小带隙来保持其结构不变。研究表明,引入C或O原子,可以调控六方氮化硼的带隙。
六方氮化硼是一种带隙为 ~6eV 的绝缘体,已被用作绝缘体,用于生产由各种类型的2D半导体(例如WSe2、MoSe2等)组成的超高迁移率2D异质结构。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的2D层,直至单层h-BN。 h-BN晶体具有 ~0.1 cm 的典型横向尺寸,并且是透明的。单晶h-BN是一种优良的绝缘体,其表现...