GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要特点 相关知识点: 试题来源: 解析 GTO:门极可关断晶闸管,全控型、电流控制型。GTR:大功率晶体管,全控型、电流控制型。MOSFET:功率场效应晶体管,全控型、电压控制型。IGBT: 绝缘栅双极晶体管,全控型、电压控制型。
驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿, 并有 一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供 幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。 GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的...
百度试题 题目GTO、GTR、MOSFET、IGBT分别表示 .(按顺序填写并用、隔开) 相关知识点: 试题来源: 解析 门极可关断晶闸管、电力晶体管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管 ; 反馈 收藏
绝缘栅双极晶体管IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。已取代了GTR和一部分MOSFET的市场,成为中小功率系统的主导器件,并正在提高电压、电流容量,将取代GTO的地位。反馈 收藏
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。相关知识点: 试题来源: 解析 绝缘栅双极晶体管IGBT: (1)优点:开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。 (2)缺点:开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。 电力晶体管GTR: (1)优点:开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。 (2...
IGBT,开关速度高,开关损耗小,通态压降低,电压、电流容量较高。门极输入阻抗高,驱动功率小,驱动电路简单,开关速度不及电力MOSFET,电压、电流容量不及GTO。,电机调速,逆变器、变频器等中等功率、中等频率的场合,已取代GTR。是目前应用最广泛的电力电子器件。 *请将VDMOS(或IGBT)管栅极电流波形画于图1-32中,并说明...
GTO、GTR、MOSFET、IGBT中文名称分别是( )()( )和( )。(按顺序填写并用、隔开)搜索 题目 GTO、GTR、MOSFET、IGBT中文名称分别是( )()( )和( )。(按顺序填写并用、隔开) 答案 解析收藏 反馈 分享
答:(1)IGBT 驱动电路特点是:驱动电路具备较小输出电阻,IGBT 是电压 驱动型器件,IGBT驱动多采用专用混合集成驱动器。 (2)GTR 驱动电路特点是:驱动电路提供驱动电流有足够陡前沿, 并有一定过冲,这样可加速开通过程,减少开通损耗,并断时,驱动 电路能提供幅值足够大反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加 速关断速...
答案解析 查看更多优质解析 解答一 举报 GTO是可关断晶闸管,GTR是大功充晶体管,MOSFET是场效应晶体管,IGBT是GTR与MOSFET是合成器件.现在一般都用IGBT,因为它是用电压来控制,被控电流大,频率可以做的较高,开关功率小.具体的区别请电力电子方面的书籍,一两句话讲不清楚. 解析看不懂?免费查看同类题视频解析查看解答 ...
解:IGBT 和MOSFET均为电压驱动器件,栅源极之间有间电容,故规定驱动电路具备较小输出电阻,以使迅速建立驱动电压。IGBT驱动电路栅射电压为15~20V,而MDSFET栅源电压为10~15V。驱动电路还能提供反压以减小关断时间和关断损耗,同步IGBT驱动电路具备退饱和检测和保护环节。 GTR和GTO均为电流驱动器件,故规定触发电路能提供前...