GS-065-004-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-004-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结...
品牌 GS 包装 卷 认证机构 SCT 最小包装量 3000 数量 8960 封装 DFN 批号 23+ 输入电压范围 5.5V-100V 最大输出电压 30V 连续输出电流 2A 静态电流 140uA 固定开关频率 300KHz 集成 500mΩ 高侧功率 MOSFETs 可售卖地 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
GS-065-004-1-L-TR 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。 GS-065-004-1-L-TR 是一款采用 5×6 mm PDFN 封装的底部冷却晶体管,可实现现代 USB-C 适配器和充电器或其他低功耗应用所需的理想功耗。
The GS-065-004-1-L is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. GaN Systems implements patented Island Technology®cell layout for high-current die performance & yield. The GS-065-004...
GS-065-004-6-L-TRCoolGaN™晶体管700 V G4,具有极高的效率和可靠性 The GS-065-004-6-L is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that allow for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. ...
The GS-065-004-6-L is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that allow for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. Housed in the bottom-side cooled PDFN package, it offers very low junction-to-case thermal resistance, making it ideal for...
GS-065-004-6-L-TRCoolGaN™ Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability The GS-065-004-6-L is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that allow for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. ...
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型号:GS-065-004-1-L-MR,品牌:INFINEON,批号:24+,封装:PDFN-6,数量:2000,备注:全新原装New and original have in stock
价格 ¥ 320.00 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 电源/电源管理 、 无线充放电芯片 商品关键词 氮化镓芯片、 GaN、 systems、 GS、 065 商品图片 商品参数 品牌: GS 包装: 卷 认证机构: SCT 最小包装量: 3000 数量: 8960 封装: DFN 批号: 23+ 输入电压...