650V增强型氮化镓晶体管 GS-065-004-1-L是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流,高电压和高开关频率。 氮化镓系统 (GaN Systems) 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GS-065-004-1-L是一款5×6毫米 PDFN封装的底部散热晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结...
品牌 GS 包装 卷 认证机构 SCT 最小包装量 3000 数量 8960 封装 DFN 批号 23+ 输入电压范围 5.5V-100V 最大输出电压 30V 连续输出电流 2A 静态电流 140uA 固定开关频率 300KHz 集成 500mΩ 高侧功率 MOSFETs 可售卖地 全国 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能...
型号:GS-065-004-1-L-MR,品牌:INFINEON,批号:24+,封装:PDFN-6,数量:2000,备注:全新原装New and original have in stock
型号:GS-065-004-1-L 供应商信息 公司地址深圳市福田区沙头街道天安社区泰然六路泰然科技园213栋五层5A36统一社会信用代码91440300MA5G76DLXK 组织机构代码MA5G76DL-X注册资本100万人民币 营业期限52368-06-25至无固定期限经营状态存续 公司类型有限责任公司(自然人独资)成立日期2020-05-26 ...
The GS-065-004-1-L-TR is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. The GS-065-004-1-L-TR is a bottom-side cooled transistor in a 5×6 mm PDFN package that enables i...
The GS-065-004-1-L is a bottom-side cooled transistor in a 5x6 mm PDFN package that offers low junction-to-case thermal resistance. These features combine to provide very high efficiency power switching.
型号 GS-065-004-1-L 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动...
The GS-065-004-1-L is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. GaN Systems implements patented Island Technology®cell layout for high-current die performance & yield. The GS-065-004...
The GS-065-004-6-L is an enhancement-mode GaN-on-Si power transistor with properties that allow for high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. Housed in the bottom-side cooled PDFN package, it offers very low junction-to-case thermal resistance, making it ideal ...
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