650V增强型氮化镓晶体管 GS-065-150-1-D2是增强型硅基功率氮化镓晶体管,具有高电流、高击穿电压、高开关频率的特性。氮化镓系统采用Island Technology®的专利芯片布局,以增强高电流器件的性能及良率。这些特征大大提升了功率转换的效率。Island Technology®超低FOM简易门极驱动条件门极驱动瞬态电压裕量(-20/+...
GS-065-150-1-D2 是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管。 GaN 的特性允许高电流和高开关频率。 GS-065-150-1-D2 是一款高性能 GaN 芯片,设计用于高功率应用的电源模块,例如车载和非车载电动汽车充电器、牵引驱动、工业电源和可再生能源系统。 特征描述 ...
親愛的英飛凌團隊, 您能給我推薦一個具有以下額定值的 GAN FET嗎 評級: 電壓:40V至80V 電流:150A至200A 注意:請盡快提供給我,因為這是非常高優先級的項目 已解決!轉到解決方案。 @Gousiya, 感謝您的要求。 不幸的是,我們無法在社區內共享該文件。 您能否在 MSD-my case 上建立一個案例,以便我們解決您的...
GS-065-150-1-D2 Translation_Bot Community Manager 12 九月 2024 查看原创内容: English | 原作者: Gousiya 这是机器翻译的内容 请提供以下零件编号的数据表 GS-065-150-1-D2 亲爱的英飞凌团队 请向我推荐一款 GAN FET,评级如下 评级 电压:40V 至 80V 电流: 150A 至 200A 注:尽快提供给我,...
GS-065-150-1-D2 The GS-065-150-1-D2 is an enhancement mode gallium nitride (GaN) on silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current, high voltage breakdown and high switching frequency. GaN Systems implements patented Island Technology®cell layout for high-current ...
The GS-065-150-1-D2 is an enhancement mode GaN-on-Silicon power transistor. The properties of GaN allow for high current and high switching frequency. The GS-065-150-1-D2 is a high performing GaN die designed for use in power modules for high power applications such as on-board...