存储器两种编址,分别为独立编址、统一编址配置 GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏( open-drain,漏极开路)和推挽( push-pull),解释这两种工作
Open-drain只能够漏电流(sink current), 如果想要集电流(source current),则需要加一个上拉电阻。 ��出低电平 常见的GPIO的模式可以配置为open-drain或push-pull,具体实现上, 常为通过配置对应的寄存器的某些位来配置为open-drain或是push-pull。 当我们通过CPU去设置那些GPIO的配置寄存器的某位(bit)的时候,...
STM32之GPIO开漏(Push-pull)和推挽(open-drain)输出 技术标签:stm32gpiopush-pullopen-drain STM32GPIO介绍: 每一个GPIO包括4个32bit的控制寄存器(GPIOx_MODER,GPIOx_OTYPER,GPIOx_OSPEEDRandGPIOx_PUPDR);2个32bit的数据寄存器(GPIOx_IDR,GPIOx_ODR);1个32位的复位/置位寄存器(GPIOx_BSRR);1个32位的...
GPIO的输出模式,常见的有开漏输出(Open-Drain)、推挽输出(Push-Pull)与开集输出(Open-Collector)。其中开漏输出和开集输出,这两种输出的原理和特性基本是类似的,区别在于一个是使用MOS管,其中的"漏"指的就是MOS管的漏极;另一个使用三极管,其中的"集"指的就是三极管的集电极。这两者其实都是和推挽输出相对应的输...
**MCU的GPIO输出模式Open Drain & Push/Pull的理解**【Push-Pull推挽输出】原理:输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET,当Q1导通、Q2截止时输出高电平;而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。Push-Pull输出,实际上内部是用了两个晶体管(transistor),此
Is it possible to use GPIO described as "Push pull" in Open Drain? On the Host Interface Guide, only USB3_Event_Port1 had Open Drain and the other two were Push pull. There are check Open Drain output box on the customization tool are they consider to use it as Open Drain o...
举例来说,S0S1就是推挽(Push-Pull)输出;而S0D1就是开漏(Open-Drain)输出。我们知道开漏输出是为了做“线与”操作的,I2C协议就需要这种配置。同理,D0S1就是源极开路输出,可以实现“线或”操作。 线与:相连的GPIO中只要有一个输出低电平,则整个线保持低电平,且不能出现短路; 线或:相连的GPIO中只要有一个输出...
Push-pull is not able to combine Vout signals for various sensors onto a commonbus It is able to switch higher or lower voltage than Vdd supply voltage In anOpen Drain vs Open Collector, An open-drain isCMOSand an open collector isBJT. When currents are low BJTs saturation voltage is a...
如果只是100uA的逻辑输出能力,这里就基本可以看成是open-drain输出结构了(相对Darlington管的驱动需求来说)。所以我在GPIO上加了个1K的上拉电阻,实测电压2.8V,驱动逻辑完全正常了。(可以大概计算管子需求的电流在600uA左右) 但是,设计之初默认是所有relay都不开启,加上拉之后就变成了所有relay上电瞬间都是开启的,风...
如果只是100uA的逻辑输出能力,这里就基本可以看成是open-drain输出结构了(相对Darlington管的驱动需求来说)。所以我在GPIO上加了个1K的上拉电阻,实测电压2.8V,驱动逻辑完全正常了。(可以大概计算管子需求的电流在600uA左右) 但是,设计之初默认是所有relay都不开启,加上拉之后就变成了所有relay上电瞬间都是开启的,风...