si基Ge光电探测器在一1v偏压时暗电流密度为13. 7mA/cm2,在波长1.31 m处的响应 度高迭O_38A,w,对应外量子效率为36.0%,响应波长扩展到1.6um以上。 关键词:光电探测器;锗;外延生长:张应变 中图分类号:TN364 文献标识码:A 硅基光子学的研究引起了人们的广泛关注,一 些关键器件如调制器[1]、激光器[2]...
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V) ;讨论了 Ge组分、外延层厚度、偏置电压等...
硅锗光电探测器具有重要的意义.本文主要开展了图形衬底外延Ge的工作以及Si基Ge波导探测器的制备和性能测试,具体工作如下: 1,利用有限元分析法模拟了在Si图形衬底上沉积Ge薄膜后的热失配情况,系统地研究了薄膜表面及内部的应变分布规律,计算了应变随薄膜厚度,衬底单元尺寸的变化关系.结果表明热失配应变在Si-Ge界面处...
本发明涉及一种基于Ge/Si虚衬底的GePIN光电探测器及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;生长Ge籽晶层;生长Ge主体层;生长SiO2层;将整个衬底材料加热至700℃,连续采用激光工艺晶化,激光波长为808nm,光斑尺寸10mm×1mm,功率为1.5kW/cm2,移动速度为25mm/s,形成晶化Ge层;去除SiO2层;生长P型Ge层、本征Ge层、N型Ge层...
绝缘层上Ge (GOI)材料及Si 基Ge 波导型探测器研究
Si、Ge 和 Quartz被公认为是具有最高质量晶格的晶体,在耐受高通量 X 射线光束的同时,其力学特性使得它们可以被加工成各种形状。同时,它们完全与传统晶体的波长范围范围相当。所以法国 Alpyx 公司选择了这三类晶体来制作高性能的 X 射线晶体光学元件。 硅、锗和石英锭 ...
设计了si衬底上Ge薄膜共振腔增强型光电探测器的器件结构,理论计算了上下反射镜Si/SiO的对数、吸收区 Ge薄膜的厚度、有源区面积等参数对器件的外量子效率、带宽等性能的影响。当器件上下反射镜Si/SiO。的对数分别 为2和3,Ge薄膜的厚度为0.46 m,器件的台面面积小于176 ...
常用半导体探测器材料: Si 、Ge A. 正确 B. 错误 题目标签:半导体探测器如何将EXCEL生成题库手机刷题 如何制作自己的在线小题库 > 手机使用 分享 反馈 收藏 举报 参考答案: A 复制 纠错举一反三 根据“15分钟消防”的时间要求:发现起火4分钟、报警和指挥中心接处警2.5分钟、接到出动命令至消防车驶离车库1...
以Si3N4作增透膜的Si基Ge量子点探测器的研究