2.2. 后HK(High-K Last) 简单来说,后HK的工艺是IL层淀积Dummy SiO2作为虚拟介质层后直接淀积Dummy Si作为虚拟栅,后续做源漏嵌入GeSi应变,源漏掺杂,应力记忆(SMT),接触刻蚀阻挡层应变(CESL),侧墙等工艺,再如上图(b)和下图,在淀积ILD层后用CMP工艺,露出Dummy Si,蚀刻掉Dummy Si和Dummy SiO2后,再淀积IL层,...
Device Module Gate:构建一个位于源与漏中间的栅极,进行离子掺杂工艺和SIN侧墙技术等,HK MG工艺使用的gate-last工艺,先使用一个dummy poly gate图形,再出去poly用high-k 的金属取代。Gate下面使用介质与衬底隔离开,类似于MOSFET,金属控制用氧化物分离。 -1 在28nm中使用DG (Dual Gate):双栅工艺,就是在一套工艺...
接下来是Fin的形成,宽度大概10nm,普通的光刻工艺无法形成这么小的线宽,这里用的是SADP工艺,通过sidewall space 作为etch HM形成Fin,当然现在最先进的EUV光刻机可以直接形成。 先是通过CVD工艺形成一层Silicon Ntride,上面再沉积一层Amorphous Carbon 作为牺牲层,又称为Mandrel。 5. Mandrel Patterning 接着Coating BARC...
HKMG工艺包括高介电常数（High-K）材料和金属栅（Metal Gate）两部分。高介电常数材料（如HfO2）替代传统的SiO2或SiON，以增加物理厚度，改善量子隧穿效应。金属栅替代多晶硅栅，以减少硅耗尽效应。工艺分为先栅（Gate First）和后栅（Gate Last）两种。先栅工艺先制作高介电层和金属栅，再制作其他结构...
摘要:去年夏季,一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定:他们将在其28nmHKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示,台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下,便让我们在蒋尚义的介绍中,了解台积电28nmHKMGGate-last工艺推出的背景及其有关的实现...
接下来是Fin的形成,宽度大概10nm,普通的光刻工艺无法形成这么小的线宽,这里用的是SADP工艺,通过sidewall space 作为etch HM形成Fin,当然现在最先进的EUV光刻机可以直接形成。 先是通过CVD工艺形成一层Silicon Ntride,上面再沉积一层Amorphous Carbon 作为牺牲层,又称为Mandrel。
接下来是Fin的形成,宽度大概10nm,普通的光刻工艺无法形成这么小的线宽,这里用的是SADP工艺,通过sidewall space 作为etch HM形成Fin,当然现在最先进的EUV光刻机可以直接形成。 先是通过CVD工艺形成一层Silicon Ntride,上面再沉积一层Amorphous Carbon 作为牺牲层,又称为Mandrel。
据消息来源透露,三星公司的芯片制造技术发展战略可能发生较大的变化,他们正在考虑转向使用gate-last工艺制作high-k器件。按照三星原来的计划,他们将在年内推出的28/32nm制程芯片产品中使用gate-first工艺来制作high-k型器件。不过也有人认为三星很可能只在28/32nm制程 中才会采用gate-first工艺,而在22nm制程则会转向...
他表示,促使台积电选择Gate-last工艺制作HKMG的因素主要有五个:速度,功耗,可靠性,可制造性以及可伸缩性。他表示为了兼顾这五个因素,必须采用优化的解决方案,台积电给出的数据显示gate-last工艺可以将器件的功耗保持在较低的水平。 从制造性方面看,使用Gate-last工艺后,所有高温制程均可以放在HK+MG材料淀积之前制作完成...
所以以Intel和tsmc为先的业界老大,最早在45nm的时候就开始直接开发后栅极(Gate-Last)工艺,Gate-Last可以更好的控制栅极材料的功函数,而且还可以方便引入改善沟道载流子迁移率的应变硅(Strain Silicon)工艺,非常适合低功耗和高性能应用,老大就是老大,策略和眼光更长远,所以后来三星也转型了,IBM和GF在32nm以下也不得不...