SiC和GaN 目前,SiC和GaN在功率谱的不同部分占主导地位,因此它们的应用也各不相同,只有部分重叠。但是,如果GaN FET能成功提高漏源电压,而又不削弱其目前巨大的制造优势,那么它很可能会摆脱目前主要在消费电子产品(例如USB充电器和AC适配器等)中的地位,进入SiC功率...
GaN器件能提供比Si/SiC器件更高的电子速度,GaN晶体管适用于高频功率开关电路。其商业化的难点体现在多个方面:第一,工艺方面,GaN材料面临器件良率与一致性及可靠性等问题的挑战;第二,封装方面,GaN器件工作时电流大、功率高,温度可达250℃,对封装结构的散热设计要求非常高;第三,应用方面,GaN颠覆了传统的电源行业,对...
从图中我们可以看出,半导体Si的禁带宽度为1.12电子伏特,而宽禁带半导体SiC禁带宽度为3.23电子伏特,宽禁带半导体GaN的禁带宽度和SiC差不多为3.42电子伏特。正是因为SiC和GaN具有更宽的禁带宽度,从而使其拥有更高的击穿电场强度,从上表中可以看出,SiC和GaN的临界电场强度大约是Si的10倍左右,因此宽禁带半导体器件的工作电...
此外,SiC可以比GaN处理更大的电流。 GaN和SiC器件存在竞争,特别是硅LDMOS MOSFET、超级结MOSFET和IGBT。在许多应用中,正逐渐被GaN和SiC晶体管所取代。 总结GaN与SiC的比较,以下是重点: GaN的开关速度比Si快。 SiC工作电压比GaN更高。 SiC需要高的门极驱动电压。 许多功率电路和器件可用GaN和SiC进行设计而得到改善...
SiC 与 GaN 相比较，前者相对 GaN 发展更早一些，技术成熟度也更高一些；两者有一个很大的区别是热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位；同时由于 GaN 具有更高的电子迁移率，因而能够比 SiC 或 Si 具有更高的开关速度，在高频率应用领域，GaN 具备优势。虽然学术界和产业界很早认识到SiC和GaN相对于...
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体界的“双雄”。其中,SiC在高耐压和大电流应用方面优势突出,近年来在新能源汽车、可再生能源等功率电子领域风头无两;而GaN则凭借出色的击穿场强特性和电子饱和速度,提供出色的低导通电阻和高速开关(高频率工作)性能,在100~600V中等耐压应用中表现抢眼。
松下公司展示了这一概念,使用一个常闭双栅单片GaN双向开关实现了对称的100A导电和1,100V阻断电压。 如何制造SiC双向开关 SiC功率晶体管,无论是平面MOSFET、沟槽MOSFET还是JFET,主要是纵向配置,并且具有一个内部二极管,设置了对称双向电流流动的条件。尽管对称双向流动是可能的,但在双向电压方面阻断纵向器件成为一个问题...
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管这两种化合物半导体器件已作为方案出现。这些器件与长使用寿命的硅功率横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) MOSFET和超级结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面是相似的,但也有很大的差异。本文对两者进行了比较,并提供了一些实例,以助您为下一个设计做决定。
SiC 与 GaN 物理特性，整体比较接近，直观来看，两者相比，最大的区别似乎就是热导率？Si、SiC与GaN三种材料关键特性对比 实际上，由于GaN具备更高的电子迁移率，氮化镓晶体管开关更适用于高频场景。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直接带隙特性和光谱特性，相关产业已经发展的非常成熟。射频...
SiC在电力电子器件中的优势 SiC衬底在电力电子器件中显示出显著的优势，如更低的开关损耗和更高的效率。这使得SiC在电动汽车、风能和太阳能逆变器等高功率转换应用中越来越受欢迎。此外，SiC还因其耐高温的特性，广泛应用于航空航天和工业控制领域。氮化镓（GaN）衬底 GaN的高电子迁移率和光学特性 氮化镓是另一种宽...