目前SiC 基板主要由 Cree、II-VI、英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、ROHM、三菱電機(Mitsubishi)、富士電機(Fuji Electric)等國際大廠主導,以 6 吋或 8 吋晶圓為主;台廠則以 4 吋為主,6 吋晶圓技術尚未規模化生產。 此外,SiC 基板原料大多仰賴國外進口,但許多國家將 SiC 材料視為戰略性資
公司今天推出業界首創的100V射頻氮化鎵(GaN)/碳化矽(SiC)技術,此技術適用的應用領域非常廣泛,包括雷達、航空電子、電子戰、工業、科學和醫療系統。在100V工作時,此項技術透過單一氮化鎵電晶體即可實現3.6瓩(kW)的輸出功率,打破了射頻功率的性能屏障。與更常見的50V/65V氮化鎵技術相比,Integra的100V氮化鎵技術使設計師...
這⼀動向成為GaN 功率元件⾏業的⼀個趨勢。 耐壓600V的產品亮相 SiC可通過離⼦注⼊形成p型區和n型區,因此,如果利⽤模擬技術設計緩和 電場集中的構造,通過離⼦注⼊⽅法製作的話,就能實現接近理論值的⾼耐壓 功率元件。 ⽽AlGaN/GaN HEMT則很難通過離⼦注⼊製作電場弛豫結構。由於是橫向...
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散 8. アタカマ大型ミリ波・サブミリ波干渉計によるOrion KLにおけるねじれ振動状態のギ酸メチルのイメージング研究 [O] . 酒井 祐輔 2015 机译:用atacama大毫米波和亚毫米波干涉仪对Orion KL扭转振动状态下...