硅基氮化镓(GaN-on-Si)是指由硅和氮化镓组成的复合材料,其兼具硅和氮化镓两者优势性能,有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性、环保性、抗拉强度以及更宽的工作温限等,可广泛用于电子元件、电子器件、功率器件、热敏器件、热敏元件等产品制造场景,终端应用涉及5G通信、数据中心、汽车、大功率快充充电器...
基于Si衬底构建的GaN功率元件已成为业界主流,但至今仍受限于中、低压应用场景,因此业界持续尝试以GaN-on-Sapphire、GaN-on-GaN以及GaN-on-QST等其他结构来解决这一问题。 GaN-on-Si功率元件具备极佳的成本优势,已率先在消费电子市场放量,Navitas和GaN Systems产品在今年进入了Samsung旗舰手机快速充电器,而英诺赛科则创...
意法半导体(STMicroelectronics, ST)是GaN-on-Si RF行业的领先厂商,目前在与MACOM合作,瞄准全球5G基站应用,正在扩大6英寸GaN-on-Si产能,并计划进一步扩展至8英寸晶圆。此外,意法半导体还宣布了对GaN-on-Si在智能手机应用中的兴趣,或将为GaN RF业务带来喜人的新市场机遇。近日,Yole化合物半导体及新兴材料技术与市场...
GaN-on-SiC射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域;GaN-on-Si可制成功率器件,可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等领域实现快速渗透;GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN可制成光电器件,GaN光电器件在MiniLED、MicroLED、传统LED照明领域应用优势突出。 在性能方面,GaN-on-SiC相对...
GaN-on-Si功率技术:器件和应用-在过去几年中,氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体,具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
在移动设备中,GaN (MIS)HEMT用于工作电压相对较低的功率放大器电路(即VDD低于10V);而在基站中,VDD电压较高(高于20V)。对于后一种情况,碳化硅(SiC)基GaN器件具有最大的潜力,但SiC衬底价格昂贵且直径较小。在硅上集成GaN HEMT的能力具有巨大的成本优势和技术升级潜力,但GaN-on-Si (MIS)HEMT的性能却相对落后。
相比于Si、SiC等衬底上的GaN外延层会因为晶格不匹配而产生缺陷,GaN衬底或GaN-on-GaN允许垂直传导的GaN 晶体管具有更少的缺陷。同时,垂直型结构GaN器件相比目前市面上主流的横向GaN器件,可以支持更高电压的应用。不过,目前垂直型GaN器件距离商业化还很遥远。
5N Plus Inc (5N+)总部位于加拿大魁北克蒙特利尔,是一家特种半导体和高性能材料生产商,该公司正式发起其硅基氮化镓(GaN-on-Si)专利组合的商业化权利,并表示,这些专利能够帮助大功率电子(HPE)、电动汽车(EV)、人工智能(AI)服务器等领域的公司快速开发新型垂直GaN-on-Si功率器件的原型,并对其进行率先面市商业化。
4月30日,苏州晶湛半导体有限公司(下文简称“晶湛半导体”)官微发文称,在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区,晶湛半导体和Incize于近日达成了一份战略合作备忘录,双方将在硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。 据介绍,自2019年以来,晶湛半导体和Incize双方在GaN-on-Si外延的质...
露笑科技：规划产品中有GaN on SiC应用于5G射频领域 集微网消息，2月24日，露笑科技在互动平台表示，目前对于5G毫米波标准，至少在宏基站中将需要用到氮化镓基HEMT芯片，该芯片目前的技术路线是基于碳化硅基氮化镓外延片制造的，所以本公司规划产品中有GaN on SiC （碳化硅基氮化镓外延片）专门应用于5G射频领域。此...