硅基氮化镓(GaN-on-Si)是指由硅和氮化镓组成的复合材料,其兼具硅和氮化镓两者优势性能,有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性、环保性、抗拉强度以及更宽的工作温限等,可广泛用于电子元件、电子器件、功率器件、热敏器件、热敏元件等产品制造场景,终端应用涉及5G通信、数据中心、汽车、大功率快充充电器...
意法半导体(STMicroelectronics, ST)是GaN-on-Si RF行业的领先厂商,目前在与MACOM合作,瞄准全球5G基站应用,正在扩大6英寸GaN-on-Si产能,并计划进一步扩展至8英寸晶圆。此外,意法半导体还宣布了对GaN-on-Si在智能手机应用中的兴趣,或将为GaN RF业务带来喜人的新市场机遇。近日,Yole化合物半导体及新兴材料技术与市场...
GaN-on-SiC射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域;GaN-on-Si可制成功率器件,可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等领域实现快速渗透;GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN可制成光电器件,GaN光电器件在MiniLED、MicroLED、传统LED照明领域应用优势突出。 在性能方面,GaN-on-SiC相对...
截至今天,几家 GaN 晶体管制造商在内部压力测试和性能体验中报告了出色的结果。除此之外,还有大量的 GaN 晶体管在实际地面应用中经历了数十亿小时的累积,证明了与硅 MOSFET 相比具有更高的现场可靠性。 结论 研究人员总结说:“GaN-on-Si 器件技术在导通电阻、开关速度、热性能、芯片尺寸和成本方面表现出令人印象深...
意法半导体预计将向雷诺供应其尚未通过汽车认证的器件，用于电动汽车应用。 EPC 目前提供汽车级低压 GaN ...
相比于Si、SiC等衬底上的GaN外延层会因为晶格不匹配而产生缺陷,GaN衬底或GaN-on-GaN允许垂直传导的GaN 晶体管具有更少的缺陷。同时,垂直型结构GaN器件相比目前市面上主流的横向GaN器件,可以支持更高电压的应用。不过,目前垂直型GaN器件距离商业化还很遥远。
在移动设备中,GaN (MIS)HEMT用于工作电压相对较低的功率放大器电路(即VDD低于10V);而在基站中,VDD电压较高(高于20V)。对于后一种情况,碳化硅(SiC)基GaN器件具有最大的潜力,但SiC衬底价格昂贵且直径较小。在硅上集成GaN HEMT的能力具有巨大的成本优势和技术升级潜力,但GaN-on-Si (MIS)HEMT的性能却相对落后。
露笑科技：规划产品中有GaN on SiC应用于5G射频领域 集微网消息，2月24日，露笑科技在互动平台表示，目前对于5G毫米波标准，至少在宏基站中将需要用到氮化镓基HEMT芯片，该芯片目前的技术路线是基于碳化硅基氮化镓外延片制造的，所以本公司规划产品中有GaN on SiC （碳化硅基氮化镓外延片）专门应用于5G射频领域。此...
5N Plus Inc (5N+)总部位于加拿大魁北克蒙特利尔,是一家特种半导体和高性能材料生产商,该公司正式发起其硅基氮化镓(GaN-on-Si)专利组合的商业化权利,并表示,这些专利能够帮助大功率电子(HPE)、电动汽车(EV)、人工智能(AI)服务器等领域的公司快速开发新型垂直GaN-on-Si功率器件的原型,并对其进行率先面市商业化。
GaN-on-SiC 和高度有效线性化技术的采用,可以实现更高效率的无线传输,带来显著的功率、散热和成本等方面节约,从而加快 5G 的部署。科锐高效率 GaN-on-SiC 功率放大器与 MaxLinear 高度有效线性化解决方案相辅相成,可为 5G 应用所需的大规模 MIMO 射频节省数百瓦的功率消耗。