意法半导体预计将向雷诺供应其尚未通过汽车认证的器件，用于电动汽车应用。 EPC 目前提供汽车级低压 GaN ...
截至今天,几家 GaN 晶体管制造商在内部压力测试和性能体验中报告了出色的结果。除此之外,还有大量的 GaN 晶体管在实际地面应用中经历了数十亿小时的累积,证明了与硅 MOSFET 相比具有更高的现场可靠性。 结论 研究人员总结说:“GaN-on-Si 器件技术在导通电阻、开关速度、热性能、芯片尺寸和成本方面表现出令人印象深...
硅基氮化镓(GaN-on-Si),指在硅衬底上生长氮化镓薄膜而制成的化合物半导体材料。硅基氮化镓具备击穿电场强度高、电子迁移率高、带隙宽等优势,在通信系统、半导体制造、电力系统等领域拥有潜在应用价值。 近年来,随着本土企业及相关科研机构持续发力,我国硅基氮化镓相关专利数量不断增加,主要包括《一种硅基氮化镓功率器件...
GaN-on-SiC射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域;GaN-on-Si可制成功率器件,可在大功率快充充电器、新能源车、数据中心等领域实现快速渗透;GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN可制成光电器件,GaN光电器件在MiniLED、MicroLED、传统LED照明领域应用优势突出。 在性能方面,GaN-on-SiC相对...
硅基氮化镓(GaN-on-Si)是指由硅和氮化镓组成的复合材料,其兼具硅和氮化镓两者优势性能,有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性、环保性、抗拉强度以及更宽的工作温限等,可广泛用于电子元件、电子器件、功率器件、热敏器件、热敏元件等产品制造场景,终端应用涉及5G通信、数据中心、汽车、大功率快充充电器...
在移动设备中,GaN (MIS)HEMT用于工作电压相对较低的功率放大器电路(即VDD低于10V);而在基站中,VDD电压较高(高于20V)。对于后一种情况,碳化硅(SiC)基GaN器件具有最大的潜力,但SiC衬底价格昂贵且直径较小。在硅上集成GaN HEMT的能力具有巨大的成本优势和技术升级潜力,但GaN-on-Si (MIS)HEMT的性能却相对落后。
露笑科技：规划产品中有GaN on SiC应用于5G射频领域 集微网消息，2月24日，露笑科技在互动平台表示，目前对于5G毫米波标准，至少在宏基站中将需要用到氮化镓基HEMT芯片，该芯片目前的技术路线是基于碳化硅基氮化镓外延片制造的，所以本公司规划产品中有GaN on SiC （碳化硅基氮化镓外延片）专门应用于5G射频领域。此...
美国Integra Technologies公司推出S波段雷达应用的GaN-on-SiC射频和微波晶体管 INTEGRA微波晶体管雷达应用S波段美国射频碳化硅基砷化镓近日,美国Integra Technologies公司推出一对135瓦和130瓦碳化硅基砷化镓(GaN—on—SiC)射频和微波晶体管,可用于S波段雷达应用.半导体信息...
GaN-on-Si技术在毫米波的应用
WAYON维安一级代理商表示该该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置电源,如充电器、PC 机外部电源适配器、LED 照明驱动器、电视机等家电。 氮化镓(GaN)是最具代表性的第三代半导体材料,成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一,是迄今为止理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。