相信大家也注意到了，为了使芯片不要过于臃肿，并且方便设计人员对功率进行扩展，ST-ONE内部并没有集成功率器件。所以针对ACF/半桥等应用，ST引领氮化镓充电技术新浪潮，推出了全球第一款半桥架构，并且集成驱动的氮化镓芯片——MasterGaN，推动电源的性能全面超越传统硅基晶体管方案。文章来源：意法半导体 如需产品规格书...
意法半导体的MasterGaN产品是世界上第一个将硅驱动器及两颗氮化镓功率器件集成在一个封装中的半桥结构的解决方案。这也推动了电力转换领域的新浪潮。 MasterGaN内部集成了两颗氮化镓功率管以及栅极驱动器,可以由内部自举二极管轻松实现供电。上下管的驱动部分都设有过压,保护、过温保护,防止MasterGaN在低效率以及各种危险...
最后,我们为e-MODE GaN FET专门设计了MASTERGAN1的栅极驱动器,从而提高了性能和耐用性。 MASTERGAN1同时自带欠压锁定(UVLO)保护,可防止供电不足情况下损耗增大以及一些潜在的问题。同样OTP可防止设备过热导致损坏。栅极驱动器的电平转换器和有效的输入缓冲功能使GaN的栅极驱动器非常耐用且抗噪声。最后它还配置了专用的...
2024年12月20日,中国——为了加快能效和功率密度都很出色的氮化镓(GaN)电源(PSU)的设计,意法半导体推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系统级封装(SiP)的谐振转换器参考设计。 意法半导体的MasterGaN-SiP在一个封装内整合了GaN功率晶体管与开关速度和控制准确度优化的栅极驱动器。使用高集成度的系统级封装SiP代替采用...
意法半导体的MasterGaN4*功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS(on)、650V氮化镓(GaN)功率晶体管,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能,可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。 作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品,MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题,简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN...
ST市场独有的MasterGaN平台将我们的高压智能功率BCD工艺与氮化镓技术相结合,是世界上第一款在QFN9x9的封装内带有两个氮化镓高电子迁移率晶体管和半桥栅极驱动器的功率器件;丰富的保护功能保证芯片的可靠性。同时设计人员不必再关心氮化镓驱动的复杂性,就能享受氮化镓技术的好处,增强应用的可靠性性,加快了高功率密度及高效...
ST-ONE MasterGaN引领充电器新纪元 ST-ONE+ MasterGaN推动USB-PD充电器革命 在全球电源产品的发展潮流中，果断提高充电器的效率和功率密度已成为一种必然趋势。最前沿的ST-ONE技术，通过采用ACF拓扑，不仅帮助提升了充电器的效率，还将其功率密度进行了大幅度提升，堪称快充设备的最佳选择。此外，MasterGaN所代表的...
MASTERGAN3是一款先进的系统级功率封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管。 集成的功率氮化镓具有650 V耐压和RDS(ON) 为225毫欧的下管以及导通阻抗为450 mΩ的上管,同时上管的驱动电压可以方便的通过内置的自举二极管提供。 MASTERGAN3在上下管都有驱...
意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及
意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。 意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能,以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功...