文章重点1）提高充电器的效率和功率密度是大势所趋2）ST-ONE所采用的ACF拓扑有助于提高效率和功率密度，是快充产品的最佳选择3）MasterGaN为代表的氮化镓技术推动功率转换实现了飞跃，必将引领新的潮流。引言本文首先回顾了USB-PD适配器的发展，并和大家聊一聊USB-PD适配器中常见的拓扑。接着着重介绍ST在快充领域的...
MASTERGAN4介绍 ST推出世界首款集成半桥驱动IC和一对氮化镓(GaN)的MASTERGAN产品平台。该解决方案可用于最高400W以下的一代消费性电子、工业充电器,以及电源转接器等。MASTERGAN4是一款集成了栅极驱动器和两个半桥配置增强型GaN功率晶体管的先进功率系统封装。集成功率GaN具有650V漏源阻断电压和225mΩ的RDS(ON),...
MASTERGAN1是一款意法ST公司推出的GaN(氮化镓)功率器件系列,具有以下技术参数和应用: MASTERGAN1-650V 技术参数: - 工作电压:650V - 最大漏极电流:120A - 开关频率:高达100kHz - 导通电阻:低至2.2mΩ - 开关损耗:低至0.5mJ 应用: - 电动汽车充电器 - 太阳能逆变器 - 电力电子设备 - ...
一、ST推出双核氮化镓功率器件 MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V,导阻150mΩ的高压GaN开关管,集成在9*9*1mm的QFN封装内,工作电流10A,低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管,内置互锁功能,且具有准确的内部定时匹配。支持工业级宽温。 MASTERGAN1通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元...
ST-ONE MasterGaN引领充电器新纪元 ST-ONE+ MasterGaN推动USB-PD充电器革命 在全球电源产品的发展潮流中，果断提高充电器的效率和功率密度已成为一种必然趋势。最前沿的ST-ONE技术，通过采用ACF拓扑，不仅帮助提升了充电器的效率，还将其功率密度进行了大幅度提升，堪称快充设备的最佳选择。此外，MasterGaN所代表的...
ST推出世界首款集成半桥驱动IC和一对氮化镓(GaN)的MASTERGAN产品平台。该解决方案可用于最高400W以下的一代消費性电子、工业充电器,以及电源转接器等。MASTERGAN4是一款集成了栅极驱动器和两个半桥配置增强型GaN功率晶体管的先进功率系统封装。集成功率GaN具有650V漏源阻断电压和225mΩ的RDS(ON), 而嵌入式栅极驱...
基于ST MASTERGAN4 用于可调光高功率反向BUCK的 500W LED 方案 ►核心技术优势 1.输入电压:Vin = 400vdc, Vdim = 10vdc 2.输出电压范围:150v - 350v 3.输出电流:0.7 A - 1 A - 1.3 A,可选择与分流电阻 4.输出电流精度高,输出电流变化小于5% ...
ST意法半导体推出了三款MasterGaN器件,MasterGaN器件内部集成了两颗GaN开关管及驱动器,组成半桥器件,是一款先进的系统级功率封装,可输入逻辑电压信号轻松控制器件。ST的MasterGaN系列均为半桥器件,内置650V耐压的增强型氮化镓开关管,支持零下40到125摄氏度工作温度范围,三款器件仅内置开关管参数不同。
MasterGaN 系列說明: MASTERGAN是一種先進的電源系統級封裝,在半橋配置中集成了一個柵極驅動器和兩個增強型 GaN 電晶體。 MASTERGAN系列 在上下驅動部分均具有 UVLO 保護功能,可防止電源開關在低效率或危險條件下運行,並且互鎖功能可避免交叉傳導條件。 輸入引腳擴展範圍
ST 法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋晶片,利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計,實現最新的生態設計目標。 意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN電晶體(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功能,以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極體。集成這些...