垂直结构LED芯片 以垂直结构配置电极的垂直型(Vertical)LED芯片相较于以水平结构(正装)配置电极的水平型(Lateral)LED芯片,在高电流方面表现出极高的优点。在光效率、高功率、热特性方面具有诸多优点。 垂直结构的正负电极分别位于LED芯片上下两面(顶面和底面),使得电流几乎全部垂直流过LED外延层,横向流动的电流极少,...
阅读提示:下面拆解的是一颗圆形芯片的LED,它是聚光LED新品的一个典型。其它大功率LED结构上大体是相同的,在细节材料与工艺方面各有各的特点。 通电测试,此时电流给的非常小,便于您观察它的外观。快看最后一眼吧! 去掉玻璃保护罩。有些筒友玩家为了提高亮度(光通量),手动剥离了这个玻璃保护罩,毕竟再纯洁的玻璃也会...
图1.LED的结构包括一个降低位错的SiNx层(a);Aixtron的Argus工具与LayTec提供的Epicurve监测器一起,可测量出晶片翘曲以及晶片温度(b)。生长过程可分为四个步骤:预生长热处理,AlN晶核层、势垒层和n型GaN层,多量子阱区域和p型GaN层,以及退火/冷却。 衬底在氢气氛围内退火之后,移除本征半导体层并形成一个梯田状,...
在Micro显示中影响比较大,会带来比较大的串扰效应:(1)RGB三芯片彩色化中,Micro LED像素单元发光会串扰到相邻像素,而此像素LED可能为关闭的,这就会影响相邻像素的黑色水平,因为理想情况此像素是完全关闭不发光显示的,从而影响显示的对比度,黑色水平;(2)对光致荧光(QD)彩色化Micro LED显示来说,同一个像素单元的比...
GaN基LED基本结构 GaN基LED的特点 1、无GaN材料作衬底2、蓝宝石衬底形成平面波导 3、P型N型欧姆接触引出线在同侧 4、P型GaNMg不易掺入，不易电离 5、介电常数高，带宽，易击穿ESD 6、GaN蓝宝石坚硬，不易加工 提高内量子效率 1、采用晶格失配少的碳化硅衬底 2、采用衬底...
1、2.1 GaN基LED发光原理大部分LED是利用MOCVD在衬底材料上异质外延而成,目前比较成熟的衬底材料是蓝宝石和碳化硅,硅基和ZnO基等其他衬底材料尚未成熟。LED外延片的结构主要包括MIS结、P-N结、双异质结和量子阱几种,当前绝大多数LED均是量子阱结构的。外延片的基本结构如图1-2所示。目前使用的大部分灯具是白炽...
一、GAN基LED外延结构的特点 1. 高发光效率:GAN材料的能隙较大,能够发出蓝色至紫外光,其发光效率较高,使得LED的光电转换效率更高,能够实现更好的能源利用。 2. 长寿命:GAN材料具有较高的热稳定性和耐辐照性,能够在高温环境下保持较长的使用寿命,减少了维护和更换成本。 3. 调控性强:GAN材料的能隙可以通过控...
GaN基LD(蓝绿光芯片制造技术).ppt,GaN基LED 邹德恕 基本内容 1、GaN基LED基本结构 2、 GaN基LED基本特点 3、内量子效率的提高途径 4、提取效率的提高途径 5、防静电击穿的保护方法 GaN基LED基本结构 GaN基LED的特点 1、无GaN材料作衬底 2、蓝宝石衬底形成平面波导 3、P型N型
EBL是GaN基LED中非常常见的结构,因为它可以有效地抑制从量子阱溢出的电子。在绿光LED中,压电场比蓝光LED大得多,导致更严重的电流泄漏。因此,应该重新设计EBL层以提供更好的电子阻挡效果。实验研究了EBL厚度对绿光LED效率的影响。 在Si衬底上生长了7个EBL厚度为20nm至60nm的绿光LED,EBL的Al含量固定在20%。样品的...