一、D-mode GaN类型与特点 由于常开的耗尽型GaN本身无法直接使用，需要通过增加外围元器件的方式，将D-mode GaN从常开型变为常关型，主要包括级联（Cascode）和直驱（Direct Drive）两种技术架构；其中，级联型的D-mode GaN更为主流。如下图1，级联型的D-mode GaN是通过利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，从...
01 耗尽型(D-mode)GaN 驱动方案 一、D-mode GaN类型与特点 由于常开的耗尽型GaN本身无法直接使用,需要通过增加外围元器件的方式,将D-mode GaN从常开型变为常关型,主要包括级联(Cascode)和直驱(Direct Drive)两种技术架构;其中,级联型的D-mode GaN更为主流。如下图1,级联型的D-mode GaN是通过利用低压Si MOSF...
一、D-mode GaN类型与特点 由于常开的耗尽型GaN本身无法直接使用,需要通过增加外围元器件的方式,将D-mode GaN从常开型变为常关型,主要包括级联(Cascode)和直驱(Direct Drive)两种技术架构;其中,级联型的D-mode GaN更为主流。如下图1,级联型的D-mode GaN是通过利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关,从而将常开...
首先是对系统的安全要求,如果应用需要故障安全操作,常关型的E-MODE GaN是更好的选择;而常开型的D-Mode GaN,在系统可以通过外部控制实现安全操作时则更加适合,因为D-Mode GaN可以提供更快的开关速度和更高的频率、更低的损耗。 在高频应用中,D-Mode相对更有优势,同时其低导通电阻和高速开关的特性,在散热受限的...
D-mode氮化镓功率器件和低压MOSFET串联,共用栅极和源极,形成常关器件。 (2)E-mode/增强型 E-mode(Enhance-mode/增强型)为常关型,使用方式类似传统硅MOS,器件结构简单,适合高频化应用,增强型器件不需要负电压供电,实际应用中的氮化镓功率器件都需要是常关型的器件。
D-Mode GaN是一种常开型器件,在没有施加栅极电压时,器件处于导通状态,需要施加负向栅极电压减少沟道中的电子浓度,耗尽沟道电子,从而减小或关闭电流。 在GaN器件中,二维电子气是在GaN和AIGaN层之间的界面上自发形成的,这个二维电子气层具有非常高的电子密度和迁移率,这使得GaN器件能够实现快速的电子传输和低电阻,从而...
增强型(E-mode)GaN驱动方案 一、E-mode GaN类型与特点 不同于Cascode D-mode GaN通过级联低压Si MOS来实现常关型,E-mode GaN直接对GaN栅极进行p型掺杂来修改能带结构,改变栅极的导通阈值,从而实现常断型器件。 根据栅极结构不同,E-mode GaN又分为欧姆接触的电流型和肖特基接触的电压型两种技术路线,其中电压型...
在此次盛会中,能华半导体在展会上以创新与实力并重的产品阵容惊艳亮相,能华半导体作为国内唯一同时量产了D-Mode和E-Mode氮化镓的IDM公司, 展示出了一系列以D-Mode氮化镓技术为基础的功率氮化镓器件以及6寸和8寸的D- Mode和E-Mode氮化镓晶圆产品, 目前亦是国内为数不多的研发产出8寸氮化镓晶圆的厂商。
随着第三代半导体技术的发展和普及,目前市场上量产的氮化镓功率器件,主要有 E-mode GaN 产品(即增强型GaN)和 D-mode GaN 产品(即耗尽型GaN)。 分成这两大类的原因是,氮化镓晶体管是通过两种不同禁带宽度材料(通常是AlGaN和GaN)在交界面的压电效应形成的二维电子气来导电,由于二维电子气只有高浓度电子导电,因此...
据我所知,目前市面上的GaN transistor产品大多是E-mode,因此没办法具体比较E-mode与D-mode GaN transistor。 对于PFC应用,英飞凌有一些demo板,使用了GaN transistor 作为PFC主开关,具体的demo 板信息请点击这里。 Like 225 次查看 0 LLAD Level 1 17 十月 2024 感谢您的回答,Renesas已有较成熟的级联SI...