可供耗尽型(D-mode)硅基氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管 (HEMT) 外延片。氮化镓材料比硅和碳化硅具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场,所制备的功率器件具有更好的传导和开关性能。
耗尽型氮化镓(Depleted-mode GaN)是一种常开结构的氮化镓功率器件。为了实现常关功能,需要串联一个低压增强型NMOS管。为了方便使用,耗尽型的氮化镓开关管与增强型的NMOS通常会被封装在一个封装内部,这种结构被称为Cascode结构或共源共栅型。 耗尽型氮化镓功率器件具有许多优点,如高工作频率、快速响应速度、高功率密度、...
2.高功率级应用更加容易:Transphorm d-mode具有较高的饱和电流,而e-mode 则必须通过并联才能提供相同的电流,但这会导致功率密度和可靠性下降。 3.稳健性且易驱动性:采用最稳健的硅MOSFET SiO2栅极,不受e-mode 的 p 栅极限制,可兼容硅基驱动器和控制器。 Transphorm业务开发和营销高级副总裁Philip Zuk表示,“长期...
爱企查为您提供gan耗尽型(d-mode)2024年专利信息查询,包括专利申请信息、专利类别、专利发明人等专利信息查询,让您更轻松的了解gan耗尽型(d-mode)专利信息,查询更多关于gan耗尽型(d-mode)专利信息就到爱企查官网!
F等离⼦体处理增强型及耗尽型AlGaN_GaN+HEMT集成的D触发器 Vol.32,No.6Journal of Semiconductors June2011 Monolithically integrated enhancement/depletion-mode AlGaN/GaN HEMT D flip-flop using fluorine plasma treatment Xie Yuanbin(谢元斌) ,Quan Si(全思),Ma Xiaohua(马晓华),Zhang Jincheng(张进城),Li...
耗尽型氮化镓(Depleted-mode GaN)是一种常开结构的氮化镓功率器件。为了实现常关功能,需要串联一个低压增强型NMOS管。为了方便使用,耗尽型的氮化镓开关管与增强型的NMOS通常会被封装在一个封装内部,这种结构被称为Cascode结构或共源共栅型。 耗尽型氮化镓功率器件具有许多优点,如高工作...
该白皮书还纠正了业内常见的有关常闭型 d-mode 和 e-mode 器件性能的一些误区。 白皮书获取方式 本白皮书(中文版)免费提供,可通过以下链接下载:https://transphormusa.cn/zh/document/wp-dmode-gan-advantages/ 关于Transphorm Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用...