为了提高 p 型 GaN 的导电性,该研究团队,在 GaN 晶片上对沉积的金属 Mg 薄膜进行图案化,并在大气压下简单地进行加热,即在氮化镓晶圆上沉积镁薄膜后进行常规退火工艺。 随后,该研究团队利用最先进的电子显微镜成像技术观察到了超晶格的自发形成,这种超晶格具有交替的 GaN 层和 Mg 层。这是极其罕见的实验现象,因...
一、ALN/GAN超晶格缓冲层的结构和作用 ALN/GAN超晶格缓冲层是由交替的氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)层组成的超晶格结构,用作缓冲层。这种结构在半导体器件和光学器件中特别有用,尤其是在制造高质量的GaN基器件时。 缓冲层的主要目的是: 1. 晶格匹...
氮化镓和Mg之间的完美晶格匹配大大降低了错配应变,在(0001)氮化镓上2D-Mgi的自发形成中起着关键作用,这也可以解释为什么Mg在氮化镓中很容易分离。 表1 GaN和Mg的物理性质 现有的p型氮化镓上加入MiGs可以大大降低比接触电阻率,在稍高的温度下550℃退火的样品I-V特性显示出有效欧姆接触,具有良好的线性,而在500℃没...
33、本发明改进的缓冲层包含一改进的超晶格结构,所述超晶格结构包含:n个aln/gan/algan叠层结构,每个所述aln/gan/algan叠层结构包含由下至上依次堆叠生长的aln层、gan层及algan层,即,在形成aln层之后与形成algan层之前插入形成gan层步骤,这样,一方面可以抵消一部分由于aln/algan晶格失配导致的应力,降低应力控制难度;...
增强AlGaN / GaN 超晶格中Mg的掺杂效率 Peter Kozodoy.一个Yulia P Smorc hkova Monica Hansen,惠明星), Steven P DenBaars 和Umesh K.Mishra 电气与计算机工程系和材料系,加利福尼亚大学, Santa Barbara,主巴巴拉,加利福尼亚93106 A.W.Saxler,R.Perrin,w C.Mitchel 空军研究实验室,材术4和制造局,AFRL/...
(20 10 10 20 ;20 11 1 6 ) 年 月 日收到 年月 日收到修改稿 Kr nig-Penney , AlN / InN AlN / GaN 利用 模型和形变势理论 从理论上探讨了纤锌矿型 和 超晶格系统的能带结 , 、 构及不同应变模式对能带结构的影响 计算得到了能带结构随各亚层参量变化的一般性规律 超晶格的能量色散 、 . ,...
用金属有机物化学汽相沉积(MOCVO)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石 (AI2O3)衬底上生长的AIGaN/GaN超晶格材 料的微观结构,光吸收性质和发光特性.x射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌 矿六方结构,薄膜具有良好的结 晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布 ...
超晶格结构系统具有大的导带不连续性和很强的极 化效应,可以在界面产生出高浓度的二维电子气,理 论值超过10 13 cm 2 ,并且可以降低由于掺Si所引入 的电离杂质散射,提高二维电子气的迁移率,所以我 们采用AlN/GaN超晶格结构.试验结果表明,极化 感应所产生的二维电子气室温电子迁移率进一步提 高到1086cm 2 /(V...
山西中科潞安紫外光电科技取得 InAlGaN 超晶格结构生长方法相关专利，提高紫外 GaN 基 LED 的光效和可靠性 金融界 2024 年 8 月 20 日消息，天眼查知识产权信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司取得一项名为“InAlGaN 超晶格结构生长方法、超晶格结构、外延结构和芯片“，授权公告号 CN112259657B，申请日期为...
基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光发射调控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜厦门大学副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University 展开更多 0条评论 guansheng发消息 ...