InAs/GaSb 超晶格由超薄的 InAs 层与 GaSb 层周期性地交替生长构成,超晶格超薄层结构使得材料中的电子和空穴不能被限制在其中某一个量子阱中,电子和空穴通过势垒隧穿形成微带,如图 1 所示。二类超晶格这种特殊的能带结构使其可以表现为不同于组成材料的性质,其有效带隙可以通过周期厚度灵活调节。理论计算结果显示二类超晶格有
二类超晶格GaSb衬底超晶格结构的应用领域包括红外成像、红外光谱、红外激光雷达等。随着科学技术的不断发展,相信这种结构将会在更多的领域得到应用和发展。 总之,二类超晶格GaSb衬底超晶格结构是一种重要的半导体结构,在红外探测领域具有广泛的应用前景。通过调整组...
二类超晶格探测器工作原理 1.基本结构与能带特性 -二类超晶格是由两种不同的半导体材料交替生长形成的纳米级超晶格结构。例如,由一种窄带隙的n型半导体和一种窄带隙的p型半导体组成。 -在二类超晶格中,导带和价带在空间上是错开的。这种能带结构导致电子和空穴在不同的子带中被限制,电子主要位于一种材料的导带,...
未来工艺发展将呈现三个趋势:开发InAs/GaSb/AlSb四元超晶格体系,通过引入宽禁带AlSb层将截止波长拓展至15μm;采用三维集成技术将读出电路与探测器芯片垂直互连,使热串扰降低40%;探索二类超晶格与量子点耦合结构,通过局域态调控实现多波段响应,在3-5μm与8-12μm双波段量子效率均突破50%。工艺装备方面,分子束外延...
在二类超晶格的制造中,湿法光刻通常用于定义器件的结构和尺寸。具体的制造过程包括以下几个步骤: 1. 涂胶:在超晶格材料表面涂上一层光刻胶,光刻胶是一种对特定化学物质敏感的材料,可以在曝光后通过化学反应去除。 2. 曝光:使用光刻机对涂...
二类超晶格制冷红外探测器简介 二类超晶格制冷红外焦平面探测器的材料名称是基于Ⅲ-Ⅴ族生长的半导体材料，英文名称T2SL，是红外热成像行业当下最前沿的制冷红外探测器技术之一，在制备长波制冷红外焦平面探测器、双色制冷红外焦平面探测器、大面阵制冷红外焦平面探测器以及高温器件时具有独特优势。二类超晶格制冷红外探测...
二类超晶格(type-IIsuperlattice,T2SL)主要是由III-V族锑化物组成的,自从问世以来,由于其晶格稳定性好,能带可调,器件均匀性高得以迅速发展,成为第3代制冷型红外焦平面探测器研发与应用中的热门材料。 k·p 方法是一种是以能带态为基础的经验能带结构方法。在固体物理学中, k·p 微扰理论是用来计算晶体能带结构...
二类超晶格是一种由两种不同半导体材料周期性堆叠形成的结构,常用于红外探测领域。量子效率指材料将入射光子转化为电子的能力,数值越高,探测器的灵敏度越好。提升量子效率需要从材料特性、结构设计、工艺优化三个角度入手。 材料选择直接影响量子效率。超晶格通常由III-V族化合物构成,比如InAs和GaSb组合。这两种材料的能...
所以啊,二类超晶格干法刻蚀工艺,听起来高大上,其实它就像是我们在日常生活中的点点滴滴,需要耐心,需要技巧,更需要对未知的好奇心和探索精神。这工艺,不仅仅是科技的进步,更是人类智慧的体现。就像我们在生活中遇到的每一个挑战,只要我们用心去做,总会有收获的那一天。©...
二类超晶格(type-II superlattice,T2SL)主要是由III-V族锑化物组成的,自从问世以来,由于其晶格稳定性好,能带可调,器件均匀性高得以迅速发展,成为第3代制冷型红外焦平面探测器研发与应用中的热门材料。k·p方法是一种是以能带态为基础的经验能带结构方法。在固体物理学中,k·p微扰理论是用来计算晶体能带结构和光学...