大的有效质量可以降低探测器的隧穿电流,而隧穿电流在长波和甚长波碲镉汞红外探测器的暗电流中起主要贡献。 3)俄歇复合抑制。 对于二类超晶格材料来说俄歇复合可以通过对能带结构的调控加以抑制。长波(8～14 μm)及甚长波(14～20 μm)红外探测器的工作温度相对较低(T<80 K),因此其漏电流以隧穿电流为主。InAs...
与目前国际市场上主流的碲镉汞红外探测器相比,二类超晶格红外探测器材料均匀性好、成本低;与量子阱红外探测器相比,量子效率更高,性能更好。 2015年,公司二类超晶格红外制冷探测器芯片在国内率先通过国家相关部门的科技成果鉴定,且已具备小批量试制能力。本项目采用了新型锑化物超晶格材料研制红外焦平面探测器,攻克了InA...